C6747使用AISgen生成工具配置 EMIFB SDRAM，不能访问。

只看该作者 · 2015-1-21 09:00

按照C6747 BOOTLODER文档中的相关介绍，使用AIS BIN文件格式，可以通过配置EMIF CFG/TIM1/TIM2/RFC四个寄存器，正确配置后，即可通过开机引导方式完成SDRAM的初始化工作。
但是现在我已经按照C6747手册及SDRAM芯片手册配置好时序，但是SDRAM访问不成功。求教大侠指点一二啊。
使用的是美光的MT48LC2M32B2 6A3型号SDRAM，最高支持167MHz，目前我们硬件上是通过EMIFB与SDRAM连接，其中EMIFB时钟频率配置为100MHz.

芯片共4个Bank，2K行地址，256列地址，

相关时序如下图：

根据上图中时序的描述和我EMIFB频率为100MHz，我配置寄存器参数如下：
SDRAM SDCFG Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00000000 00000001 10000100 00100000 == 0x00018420
IBANK_POS:0x00, MSDRAM_ENABLE:0x00, BOOT_UNLOCK:0x00, SDREN:0x01, TIMUNLOCK:0x01,
NM:0x00, CL:0x02, IBANK:0x02, EBANK:0x00, PAGESIZE:0x00
--------------------------------------------------------------------
SDRAM SDTIM1 Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00001010 01001001 00100001 01001000 == 0x0A492148
T_RFC:0x05, T_RP:0x01, T_RCD:0x01, T_WR:0x01, T_RAS:0x04, T_RC:0x05, T_RRD:0x01
--------------------------------------------------------------------
SDRAM SDTIM2 Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00111000 00000110 00000000 00000100 == 0x38060004
T_RAS_MAX:0x07, T_XSR:0x06, T_CKE:0x04
//T_RAS_MAX = (tRAS_MAX/ SDRAM refresh rate) - 1) = 120k ns / 15.625us = 7.68 -1 = 7
--------------------------------------------------------------------
SDRAM SDRFC Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00000000 00000000 00000110 00011011 == 0x0000061B
LP_MODE:0x00, MCLKSTOP_EN:0x00, SR_PD:0x00, REFRESH_RATE:0x61B
//REFRESH_RATE=EClk*Tref/4096(rows) = 100Mhz*64/4096 = 1562.5 = 1563

AISgen中，ROMID检查后，读取后为D800K005，CPU输入时钟为25MHz，我配置的DSP工作频率为300MHz，SDRAM连接在EMIFB上面，配置频率为100MHz，其它LPSC、PINMUX主要是配置了一下SPI0、SPI1、EMIFA、EMIFB、GIOP5器件的相关引脚及电源打开。
硬件引导方式为SPI0 NorFlash，已经验证Boot引导成功，在线Debug读取PLL、EMIF等器件寄存器，已经按引导方式配置完成。
EMIB寄存器各参数与AISgen中参数一致。现在通过地址直接访问的方式发现SDRAM读写不正确，通过CCS memory browser发现SDRAM地址中数据为零，直接在CCS memory browser中修改SDRAM地址也不成功。
通过将EMIB地址线等等配置成GPIO方式，拉高拉低的方式验证，CPU与SDRAM管脚连接没有问题。

求教各位，是我在AISgen中参数EMIFB寄存器参数配置不正确？还是什么原因导致SDRAM访问不正确的？还有什么办法可以排查问题出在哪里？

谢谢大家的帮忙！！！

2万 · 2015-1-21 23:22

你好你先在线调试看看能不能正常访问外扩SDRAM
确定可以了之后看看上电引导启动后能不能将代码搬移到外扩SDRAM中运行
是不是还要修改一下GEL文件呢

只看该作者 · 2015-1-22 22:19

zhangmangui 发表于 2015-1-21 23:22
你好你先在线调试看看能不能正常访问外扩SDRAM
确定可以了之后看看上电引导启动后能不能将代码搬移 ...

在线访问是有问题的。SDRAM不是需要初始化吗？我在线调试，使用寄存器方法初始化它的话，还是一样的效果，没有什么响应。这两天我们用示波器测量了读写时序，感觉问题不大，和文档描述一致。

另外的话，GEL文件？这个我没用过。难道有可以初始化SDRAM的GEL文件？

2万 · 2015-1-22 22:38

一叶飘飞发表于 2015-1-22 22:19
在线访问是有问题的。SDRAM不是需要初始化吗？我在线调试，使用寄存器方法初始化它的话，还是一样的效果 ...

只需要配置一下EMIF接口就可以啦但是你如果看到了时序
那就说明EMIF配置没问题了重点看看cs脚是不是片选了
关于GEL 工程中添加了就可以啦

只看该作者 · 2015-1-23 19:13

zhangmangui 发表于 2015-1-22 22:38
只需要配置一下EMIF接口就可以啦但是你如果看到了时序
那就说明EMIF配置没问题了重点看看cs脚是 ...

嗯，今天发现硬件连线的时候，CAS，RAS，WE三个信号线连接错位了……，然后导致SDRAM访问不正常。

今天飞线后，到是可以访问了，只剩下时序问题了。

只看该作者 · 2015-1-23 19:34

有个问题还需要请教一下啊，芯片手册里写着Refresh count是4k，Row addressing是2K，Refresh period(4096 rows)最大时间是64ms.

看C6747里的话，我的连接方法，寻址空间是32MB（上图标黄的那条），但是我的SDRAM实际范围是8MB，那我要计算Refresh Rate的话应该如何计算？

复制

The value of this field may be calculated using the following equation:

REFRESH_RATE = SDRAM clock frequency × SDRAM refresh rate

Assuming 64 ms (tREF), 8192 rows (213; 13 address lines), SDRAM refresh rate = 64/8192 = 7.8 μs.

Therefore, the following results assuming 133-MHz SDRAM clock frequency.

REFRESH_RATE = 133 MHz × 7.8 μs = 1037.4 Therefore, REFRESH_RATE = 1038 = 40Eh

是应该按照：REFRESH_RATE = 100MHz * （64ms/4096）= 1562.5 = 1562 = 61B？
还是说因为我的SDRAM只有2K行地址，刷新4K需要64ms,CPU实际上会自动刷新8K行地址的？我的实际刷新率应当至少是1562/2？

只看该作者 · 2015-1-24 17:38

现在的问题有点奇葩了，Refersh_rate要配成2*TRFC了，其它时序参数需要在正确参数的基础上延迟三个CLK才能在某些时候读写成功。

难道使用SDRAM给定参数值配置后是不可用的？还是因为我们的CAS，RAS，WE是飞线的原因导致信号质量太差？或额干扰？或者因为各引脚上的排阻不合适导致的。

不知道仁兄硬件电路上，EMIF与SDRAM之间加排阻了吗？还是直连的？不知道排阻或飞线会对数据传送有多大影响？