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大家帮分析一下可控硅误导通问题

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xinxiyiqi|  楼主 | 2008-3-15 20:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  本电路由两路MOC3081光耦控制双向可控硅BT136,在控制交流接触器380V来实现三相电机的正反转,在刚上电的瞬间,经常会出现两个可控硅同时导通一下,速度很快,(本以为是单片机前级上电时有错误信号)后把光耦电路拿去,同样发生这个问题,说明是可控硅自行误导通,不知可控硅电路哪里有问题,希望高手帮分析一下。谢谢!

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沙发
LHKJG| | 2008-3-17 09:49 | 只看该作者

帮你顶一个。关注

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板凳
张骏洋| | 2008-3-22 13:51 | 只看该作者

是单片机的问题.

主要问题还是电路问题.因为上电的时候,你的单片机输出的瞬时值不知道.因为有可能你的单片机还没有开始工作,就这一瞬间,你的光耦就导通了.你可以试一下,把电耦的触发方式改一下.把单片机的输出接光耦的上端,把光耦的下端接地.我原来也遇到这个事,后来是这样搞定的.

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地板
wqne| | 2008-3-23 01:25 | 只看该作者

可控硅最好还是用触发变压器

可控硅最好还是用触发变压器

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sjnh| | 2008-3-24 14:12 | 只看该作者

dVD/dt

关于可控硅开路电压变化率dVD/dt
   在处于截止状态的双向可控硅两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制dVD/dt,或可采用高速可控硅。

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CC1020| | 2010-8-7 17:16 | 只看该作者
关注结果~~

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