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共模抑制是衡量一个设备容忍共模噪声能力的参数。它有几种方式来定义。共模规格有时会以CMV 或共模电压给出。数值是指设备应用时不出现问题的最大共模电压振幅。线性CMR通常是差模增益与共模增益的比以dB形式表示。该表示称为共模抑制比或字控制电路的地；另一方面，共模输出是浮空的或者涉及到它相关电源晶体管的源。浮空的共栅驱动电路能够在正负电压电源之间迅速转换。快速转换会在栅驱动电路输入与输出之间产生一个大电压的摆幅。给每个MOSFET传送控制信息的器件必须能够承受这个等级的共模噪声的干扰。例如，电源MOSFET经常用在电源逆变器中，因为它具有高频特性，电功率转换能力。然而，晶体管快速开关速度也会产生高变化速度（DVm//dt）的共模信号。
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