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哪位能告诉我光耦的CMR参数是何意义?

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楼主
chaiwq2003|  楼主 | 2008-4-27 20:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
java0735| | 2010-6-12 16:46 | 只看该作者
是转换速率吧

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板凳
optocoupler| | 2010-6-13 10:37 | 只看该作者
共模抑制是衡量一个设备容忍共模噪声能力的参数。它有几种方式来定义。共模规格有时会以CMV 或共模电压给出。数值是指设备应用时不出现问题的最大共模电压振幅。线性CMR通常是差模增益与共模增益的比以dB形式表示。该表示称为共模抑制比或字控制电路的地;另一方面,共模输出是浮空的或者涉及到它相关电源晶体管的源。浮空的共栅驱动电路能够在正负电压电源之间迅速转换。快速转换会在栅驱动电路输入与输出之间产生一个大电压的摆幅。给每个MOSFET传送控制信息的器件必须能够承受这个等级的共模噪声的干扰。例如,电源MOSFET经常用在电源逆变器中,因为它具有高频特性,电功率转换能力。然而,晶体管快速开关速度也会产生高变化速度(DVm//dt)的共模信号。

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地板
kzzzzzzzzzz| | 2020-6-11 22:26 | 只看该作者
楼主现在大牛了吧,请教下这个问题,一直困扰着我,超过CMR会有什么影响呢?

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