双向可控硅的保护电路中元件值的估算问题

只看该作者 · 2008-5-22 15:48

请哪位高手介绍一下双向可控硅的保护电路及其中元件值的估算.
为了防止电压上升过快du/dt:有RC保护电路;防止di/dt过大:有添加限流电感.

只看该作者 · 2008-5-27 13:58

难道这样的题目这么难?
竟无一位回答,悲哉.

只看该作者 · 2008-5-28 11:39

与可控硅并联
C:100NF
R:100R
与负载串联
L1:5MH
L2:5uH

2万 · 2008-6-9 04:47

由于可控硅是多子器件，与双极型晶体管一样，存在载流子的结合时间问题，因此驱动高电抗性负载时，由于电压电流相差不为零，需要加保护元件。

可控硅能承受的最大dVcom/dt由器件本身、及结温决定，还与瞬态热阻有关，这跟双极型晶体管的二次击穿耐能相似。
一般情况下，用100R的碳膜电阻+100nF的薄膜电容作dVcom/dt保护，碳膜电阻需要能承受较大的浪涌电流。

只看该作者 · 2008-6-9 07:49

只看该作者 · 2008-6-12 11:39

PowerAnts 说得没错

双向可控硅的保护电路中元件值的估算问题

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