OP输入端的深度饱和问题

发表于 2015-2-2 16:07

各位大神，如果OP正相输入和负向输入端的压差过大可能进入深度饱和？从而使OP反应过慢？即退出饱和状态需要一定时间？
是否有这个说法呢？
感谢！

发表于 2015-2-2 16:32

那就是比较器状态了吧？比较器工作时是这样的。和分立晶体管电路是一样的。

发表于 2015-2-2 19:31

LZ这个问题很好。应该是这样，但以前没有想过。

发表于 2015-2-2 20:25

运放有共模输入范围和差模输入范围两个参数，楼主这个描述就是差模输入范围，不要超过规格标称值即可，没有看过说差模电压过大(小于规格标称最大值)会导致OP反应慢的，在做比较器应用下，两者压差越小反应时间越长，压差大了反应时间会更快

发表于 2015-2-2 22:34

本帖最后由 zyj9490 于 2015-2-2 22:36 编辑

如果包和,会出现相位反转,表示内部电路不能正常工作了,而且一般来说,工作电流小的OP反应时间(带宽)越小,二极的差跟差模增益有关,开环响应是以一极点20DB/10倍程递羞的,导致二输入极的差越来越大,跟包和没有关糸.线性电路都工作在未包和状态,不要把数字TTL的工作状态混为一谈.

发表于 2015-2-3 08:21

有这个说法，所以有的运放内部有防止过饱和的电路，这个电路一般会放在运放的差分放大级或电压放大级，

有些运放输入端有两个反向并联的二极管，这也可以在一定程度上防止过饱和，

发表于 2015-2-3 09:59

记得运放的工作区域只有只有两个，线性放大，比较器作用，只要不越过限（标称值）就可以按这个标准来吧。

登录 · 发表于 2015-2-3 11:42

本帖最后由 DianGongN 于 2015-2-3 11:44 编辑

有的运放有这个参数.叫做Output Overdrive Recovery Time.
看下面2个运放,差别挺大的.分别是60nS和450µs

发表于 2015-2-3 12:17

manbo789 发表于 2015-2-3 08:21
有这个说法，所以有的运放内部有防止过饱和的电路，这个电路一般会放在运放的差分放大级或电压放大级，

有 ...

大概这样。

发表于 2015-2-3 16:56

好像有过，我看那本书上这么写的，

OP输入端的深度饱和问题

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