FLASH、AM29LV800B读写出错

只看该作者 · 2015-2-14 13:21

DSP用的是TI的5509A，FLASH芯片为AM29LV800B，连上CCS3.3，单步运行到擦除函数，发现只有奇地址变了，而且不是FFFF，是0010。写数据的时候也是只能写入奇地址，欧地址根本写不进。以下是我部分代码和CCS图

/*FLASH写命令操作*/

void FLASH_write_byte(unsigned int offset, unsigned int data)

{



        *((volatile unsigned int*)(CE1+offset))=data;

}

/*FLASH擦除函数*/

void erase_FLASH()

{

         FLASH_write_byte(0x0555,0xaa);

         FLASH_write_byte(0x2aa,0x55);

         FLASH_write_byte(0x0555,0x80);

         FLASH_write_byte(0x0555,0xaa);

         FLASH_write_byte(0x02aa,0x55);

         FLASH_write_byte(0x0555,0x10);

        delay(100);

}

/*FLASH写数据初始化*/

void FLASH_write_initial()

{

FLASH_write_byte(0x0555,0xaa);

FLASH_write_byte(0x02aa,0x55);

FLASH_write_byte(0x0555,0xa0);

}

/*FLASH写数据*/

void FLASH_write(unsigned int write_addr,unsigned int data)

{

//        FLASH_write_byte(write_addr,0xa0);

        FLASH_write_byte(write_addr,data);

        delay(10000);

}



main()

{

int i;

        /*初始化CSL库*/        

    CSL_init();

    

    /*EMIF为全EMIF接口*/

    CHIP_RSET(XBSR,0x0a01);

    

    /*设置系统的运行速度为144MHz*/

    PLL_config(&myConfig);  

        flash=0;

    erase_FLASH();

        FLASH_write_initial();

        fwaddr=CE1;

        fwaddr+=1000;

          for(i=1000;i<2000;i++)

        {



                FLASH_write(fwaddr+i,i);

        }

只看该作者 · 2015-2-14 15:47

本帖最后由 wushaojay 于 2015-2-14 16:11 编辑

发现从CE0到CE3空间偶地址都是零，DSP_EMIF_ARDY引脚接到CPLD，CPLD直接给DSP_EMID_ARDY赋1，CCS3.3才能使用Memory观察到CE空间数据也就是从20000开始的数据。上电复位从20000开始偶地址都是0，奇地址都是FFFF，FLASH擦除操作之后，偶地址依然为0，奇地址为0X0010，用十进制显示的时候是16.

CPLD设计中是扩展了FLASH高6位地址FA13-FA18。 DSP A1-A13接FLASH FA0-FA12。 DSP_EMIF_AWE接FWE，DSP_EMIF_ARE接FOE，DSP_EMIF_CE1接FCE FBYTE直接赋1，位字模式。