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ddllxxrr|  楼主 | 2015-2-17 21:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
21.6.5.2 NVM 写

    NVM控制器需要在编程之前必须探除。整个NVM主地址空间能被调试器擦除命令擦除。

    另外,行可以单独地擦行命令擦除。

    在写程序后,的页面驻留在该区域可以被锁定,以防止虚假的写入或擦除序列。
    锁定的是,每个区域的基础上执行,并因此锁定的区域的锁区域内的所有页。

    数据被写入到NVM块首先写入并存贮到一个内部的缓冲叫页面缓冲。页缓冲含有同NVM页相同的
    字节数。写页的缓冲必须是16或者32比特。8比特写到页缓冲不允许,并且会导致一个系统出错。

    写NVM块通过AHB总线是执行一个操作到页缓冲。每个AHB总线写,地址都存在ADDR寄存器中。
    在页缓冲被装载需要的字节数之后,该页可以被写入到寻址位置通过设置CMD写页面和设置密钥值    CMDEX。
    该状态寄存器中的LOAD位表示页面缓冲区是否已被加载与否。
    前页写存储器,被访问的行必须被擦除。

    默认的,自动页写是使能的(MANW=0).这将触发一个写入操作由处理的页当页面的最后位置被写入    ADDR。

    因为地址是自动存贮在ADDR在I/O总线写操作时,最后一个给的地址将要存于ADDR寄存器中。这不需    要手动装入ADDR寄存器地址,除非内存中的不同页面被写入。

    手动页写步骤(MANW=1)
    在写命令给出之前行必须被擦除。
    。写页缓冲通过直接寻址NVM主地址的空间
    。写页缓冲到存贮器:CMD=写页和CMDEX
    。在INTFLAG寄存器中的就绪位将是低的,而编程过程中,并通过AHB访问将停滞


    自动页写步骤(MANW=0)
    被写的行在写之前必须被探除在最后写页缓冲执行之前。
    需要注意的是部分写入的页面必须写入一个手动写
    。通过直接寻址NVM主地址空间写页缓冲器
    。当在页缓冲器的最后位置被写入时,页面会自动写入到NVM主要地址空间
    。INTFLAG.READY将为零,而编程的过程中,并通过AHB访问将被停滞

















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