MOS管驱动直流电机烧坏问题??

发表于 2009-6-25 11:56

电路图如附图,电机为有刷直流电机,负载电流0.3-0.6A,功率30-65W,单片机PWM调速,带堵转检测,现在问题是:偶尔会有1-2pcs在测试中会出现mos击穿,TLP250,以及驱动部分的电阻都有击穿现象,最糗的是,今天准备去做EMC测试,两台样机都烧毁,汗啊,各位帮忙分析下,感激不尽!<br />

发表于 2009-6-26 21:26

MOS管两端并联二极管。

发表于 2009-6-29 20:55

设计的问题多了去了

发表于 2009-7-1 13:25

vin是多少伏的？<br />

发表于 2009-7-16 16:34

  耐压选高点。选600v好点。

发表于 2009-7-17 12:44

在MOS 的G 接个电阻到地或接个稳压管到地就OK了，注意零件的参数选用

发表于 2009-7-18 10:35

irf740驱动电压过低，导致烧管

发表于 2009-7-19 14:54

U2的地接在R7的上边好点？<br />当然，照楼主说的现象，应该主要是管子的耐压问题。。。

发表于 2009-7-20 21:57

别的问题不说。。可能是由于你的驱动电流太小，导致两个功率管的开通不一致。。

发表于 2010-3-25 12:09

能是由于你的驱动电流太小，导致两个功率管的开通不一致。。

发表于 2010-3-26 16:26

拜托！！！！！！

楼上几位！！！！！！

MOS管驱动是靠电压调节的好不好！！！！！！！！

还有我建议LZ将MOS管驱动电压提高一些

因为，在几年前我做过电动车控制器，基本原理和你的类似

其实MOS管烧坏的原因不是击穿，而是驱动电压不稳，造成MOS管开启不完全

增大了MOS管漏极和源极的电压，造成MOS管耗散功率过大，导致过热引起的。

驱动电路你可以参考一些专门的MOS管驱动电路，

不过抱歉，我现在手边没有，不然就给你传过去了

发表于 2010-3-27 23:37

主回路两点建议：

1、IRF740的耐压是个大问题，用在这个场合不合适，它的耐压才400V，加上开关感性负载时的尖峰电压，如果漏极缓冲电路设计得当，选用600V的管子是最好的结果。还是先选800V以上的管子实验为好。

2、另外，电机电流不大，使用2只管子处于什么考虑呢？单从电流容限来看，740的10A足够了。使用单管会少许多麻烦。

发表于 2010-4-7 22:31

看看

发表于 2010-4-8 10:29

学习了

发表于 2010-4-11 11:08

建议：
1）驱动电压（Vin）最好在10V~18V内。

2）740的耐压明显不足。60W电流有5A应该就够了。
可以考虑用irfpg50 1000V6A 10元左右
或者IRFBC40 600V6A 3元左右

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