对不起，可能**错了。

只看该作者 · 2007-4-12 16:47

如果俺的的几个参数存在这个BLOCK内，128kB 一个块。要修改几个参数，就要把128k全部读出来，让后写回去。这样
1 是太笨了，2是速度慢，为了改1~2个字节，要写128k。
之前的Nor FLASH 好用，一个SECTOR 2K，用起来比这个顺手。我擦除一个2kB 的sector就可以了。

大家有什么主意？

1万 · 2007-4-12 16:51

NAND虽然便宜，但不是这样用的！

只看该作者 · 2007-4-12 17:06

俺们应用上，数据比较大，大概有32MByte 的空间。老大为了成本，修改了方案，俺之前设计是用4片8M 的nor flash 拼起来的。
老大嫌太贵了。

只看该作者 · 2007-4-12 17:57

flash的特点是:写入时,1可以改为0,但0是不能改为1的.
只有擦除可以把0改为1.
灵活利用这个特点可以减少擦除的次数,节省cpu时间还可以延长flash寿命.只是,万一哪天flash工艺改变了这个特性,就麻烦了.

3万 · 2007-4-12 18:26

如果要频繁操作，先把参数放在RAM里，直到有必要（掉电、缓存满……）才写一下……

只看该作者 · 2007-4-12 19:12

来这里看看各位有没有其他的办法。缓存不可能放很大，一个BLOCK 就差不多了，这样要是涉及到跨BLOCK的时候，就要把上一个BLOCK写进去，好像处理起来有点烦琐。

只看该作者 · 2007-4-12 19:36

这种听上去不错，但实际上可行性是很低的。lz因该需要的是一个单独的转换层，还需要写平衡，坏块管理等机制吧，很麻烦的，推荐去买一个高手写的ftl

只看该作者 · 2007-4-12 20:01

该128KB块仅用于保存参数，虽然只占用了几个字节。
改写的时候不必重写整个块，只写需要修改的即可。

擦除nand的128KB的块，不会比擦除nor的一个扇区慢的。擦除区块所需时间约为2ms。一旦数据被载入寄存器，对一个页的编程大约要300μs。读一个页面需要大约25μs。

只看该作者 · 2007-4-12 20:03

1万 · 2007-4-12 22:02

32KB/块的NAND称为小页结构，但现在只有少数几家公司还在生产。128KB/块的NAND称为大页结构，目前所有生产NAND的厂家都有生产，是主力产品线。

另外你可以考虑串行Flash，不比NAND贵太多。

5楼的办法最好，可以用RAM也可以用一个EEPROM等。4楼的办法最好不要用，因为数据手册上不支持这种操作。9楼说的问题也要注意。

只看该作者 · 2007-4-12 22:31

1万 · 2007-4-12 22:35

而且还要用SPI操作，速度上也慢。当然若能做到四线的SD卡读写，速度上还过得去了，但操作还是麻烦。

只看该作者 · 2007-4-12 23:00

反正可以按照512B写扇区

只看该作者 · 2007-4-13 00:33

不过nand flash的操作的最小单位根本不是block.是sector. 主流现在是2k左右吧.

只看该作者 · 2007-4-13 09:54

比方存了 2.3k 一块的参数。我128K存了大概是60块参数，每块内的每个参数都有可能修改，这样其实所有的空间都需要备份保留下来的。
至于14楼兄弟说的是SECTOR，俺看datasheet好像不是，俺看到是擦除只能用BLOCK 擦除。其实我的理解，最小擦除的大小决定了最小操作单位。虽然在没有数据之前我可以一个PAGE 的写，但是一旦涉及到我要修改之前的参数就一定要先擦除。俺还是回去看看DATASHEET先，万一出错了就逑了。
谢谢兄弟们的讨论

只看该作者 · 2007-4-13 15:14

High 说的SECTOR 愣是没有看到。在datasheet里面查找都没有。看来不对！

只看该作者 · 2007-4-13 15:50

只看该作者 · 2007-4-13 16:21

所以底层的写平衡（有的已经固化），缓存数据，你都已经不需要关心了，但是我还是劝lz去买一个高手写的nandflash转换层，自己开发难度很大，真的，你总的还需要设计写平衡，坏块管理，调电保护等等吧

只看该作者 · 2007-4-13 17:16

最小单位是page,但是erase的最小单位好像是block.

那就用sd卡吧 or tflash卡

1万 · 2007-4-13 21:18

19楼说的不完全对，读写的最小单位可以是字节，但擦除的最小单位是Block。

小页结构的NAND最小擦除单位是32页16K字节，每页是512+16字节。

对不起，可能**错了。

相关下载

相关帖子

不要用NAND Flash。你的应用根本不适合用NAND，还是用回NOR吧

楼上的兄弟，俺老大决定的。没法更改

有变通方法的

有没有考虑过缓存的方法？

考虑过，这个是我目前想到的方法，

re:有变通方法的

速度不会慢，浪费一些空间而已

考虑到nand的坏扇区问题，最好加一些校验措施

32MB和64MB的NAND Flash有32KB/块

用sd卡得了，支持spi操作，512B扇区

SD卡里面用的就是32KB/块的小页NAND，价钱不比NOR Flash低吧？

sd卡，mmc卡都是含控制器的。里面什么样子我不管

13楼是对的.我用过的是这样.

8楼的兄弟。我128k全部用到了，

发个图来看看 nandflash的结构

等待更多人的参与帮助！

sd,cf卡内已经集成了控制器

对不起，可能**错了。

看看小页的NAND Flash是什么样的

核心会员奖章

常驻人口

奔腾之江水

技术高手奖章

荣誉元老奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

欢快之小溪

无冕之王奖章

技术奇才奖章

七世轮回

希望之星奖章

涓涓之细流

技术新星奖章

经常做客

沉静之湖泊