三极管驱动MOS

发表于 2015-3-15 11:07

为什么很多三极管驱动MOS电路只用1个三极管，关断的时候怎么办呢？

发表于 2015-3-15 11:54

用一支三极管驱动MOS管门极，三极管导通时自然可以将MOS管门极“拉”到某一电平，三极管关断时，将MOS管门极“拉”到相反电平就只能靠三极管的负载电阻了。

发表于 2015-3-15 20:32

低速可以，高速用推挽。

发表于 2015-3-15 21:24

MOS管加了上下拉电阻吧；
这样三极管关断的时候，MOS管会被拉高或拉低，关断；

发表于 2015-3-15 23:04

频率不高

发表于 2015-3-16 10:23

学习了。
确实，俺觉得也应该只是低速应用场合可以这样。

发表于 2015-3-16 10:43

MOS管开关只看G极电平，但G极电平改变的速度，也就是MOS管开关的速度要看G极充电速度。mos管DATASHEET上有个参数，叫Qg或Qt（G极总电荷量，这个一般是典型条件下测得的，跟实际应用有差别，但不会太大，详细的DATASHEET后面有对应曲线图），然后你估下你驱动电路开、关状态下G极的驱动电流，Q/I就是开关的上、下沿需要的时间。单管的话，开、关状态肯定有个G极电平是靠电阻拉的，电阻越大这个状态改变时间相对就会很长，所以开关速度快的应用需要能提供G极大冲放电电流的驱动电路，这个驱动电路成本有时候比被驱动的MOS管还高。

发表于 2015-3-16 11:06

看来还是有门道的呀

发表于 2015-3-17 11:26

多谢各位，基本上明白了。不过为什么这些应用对单一边沿要求很高而对另外一个就不用驱动了呢？

发表于 2015-3-17 19:39

你这应用估计对上下沿都没要求，加个三极管仅仅是为了把逻辑电平转换为符合要求的G极驱动电平。算了，不说了，，

三极管驱动MOS

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