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请教MOS管浮地驱动

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楼主
0sidamingbu0|  楼主 | 2015-3-19 11:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, AC, 光耦, 原理图, 脉冲
现在我需要做一个50V跳变到250V，脉宽200us，周期20ms以上，上升沿下降沿都要在ns级的脉冲源；
我现在用的是AQV258和AD6C010高压光耦，可以实现浮地驱动，但是波形不能满足要求；
我现在看它的原理图如下，不是很明白，希望有大侠能帮忙分析一下；另外如果有其他浮地驱动的方法也感谢赐教！

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相关帖子
沙发
teddeng| | 2015-3-19 17:32 | 只看该作者
ns级，999ns也是ns级，脉冲源，内阻要求多大？浮地？不隔离也可以浮地啊？还有很多条件，想明白了把问题写清楚。

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板凳
lanseshuijing| | 2015-3-19 20:54 | 只看该作者
ir有驱动芯片都是通过电容充电，再用电容悬浮驱动，有好多这种芯片

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地板
chunyang| | 2015-3-19 21:47 | 只看该作者
光耦是无法满足楼主需要的沿特性的，尤其是高压光耦。去找专用的驱动芯片吧，ST、TI、IR、ON、Infineon等。

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5楼
chunyang| | 2015-3-19 21:50 | 只看该作者
teddeng 发表于 2015-3-19 17:32
ns级，999ns也是ns级，脉冲源，内阻要求多大？浮地？不隔离也可以浮地啊？还有很多条件，想明白了把问题写 ...

nS级应该指1-9nS，10-99nS叫“十纳秒量级”，100-999nS叫“百纳秒量级”。

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6楼
0sidamingbu0|  楼主 | 2015-4-10 12:08 | 只看该作者
感谢楼上的回复，电路图如下，需要几十ns以内就可以

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7楼
maychang| | 2015-4-10 13:00 | 只看该作者
0sidamingbu0 发表于 2015-4-10 12:08
感谢楼上的回复，电路图如下，需要几十ns以内就可以

既然你需要峰值250V的脉冲，为何要用2kV电源？低一些不行？

R3想必是为谷值50V而设。但R3串联在源极有诸多不便之处。能不能串联在MOS管漏极？

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8楼
LittleSnowBall| | 2015-4-10 23:45 | 只看该作者
5K可以试试变压器，

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