打印

请教MOS管浮地驱动

[复制链接]
4171|7
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
现在我需要做一个50V跳变到250V,脉宽200us,周期20ms以上,上升沿下降沿都要在ns级的脉冲源;
我现在用的是AQV258和AD6C010高压光耦,可以实现浮地驱动,但是波形不能满足要求;
我现在看它的原理图如下,不是很明白,希望有大侠能帮忙分析一下;另外如果有其他浮地驱动的方法也感谢赐教!

相关帖子

沙发
teddeng| | 2015-3-19 17:32 | 只看该作者
ns级,999ns也是ns级,脉冲源,内阻要求多大?浮地?不隔离也可以浮地啊?还有很多条件,想明白了把问题写清楚。

使用特权

评论回复
板凳
lanseshuijing| | 2015-3-19 20:54 | 只看该作者
ir有驱动芯片都是通过电容充电,再用电容悬浮驱动,有好多这种芯片

使用特权

评论回复
地板
chunyang| | 2015-3-19 21:47 | 只看该作者
光耦是无法满足楼主需要的沿特性的,尤其是高压光耦。去找专用的驱动芯片吧,ST、TI、IR、ON、Infineon等。

使用特权

评论回复
5
chunyang| | 2015-3-19 21:50 | 只看该作者
teddeng 发表于 2015-3-19 17:32
ns级,999ns也是ns级,脉冲源,内阻要求多大?浮地?不隔离也可以浮地啊?还有很多条件,想明白了把问题写 ...

nS级应该指1-9nS,10-99nS叫“十纳秒量级”,100-999nS叫“百纳秒量级”。

使用特权

评论回复
6
0sidamingbu0|  楼主 | 2015-4-10 12:08 | 只看该作者
感谢楼上的回复,电路图如下,需要几十ns以内就可以

使用特权

评论回复
7
maychang| | 2015-4-10 13:00 | 只看该作者
0sidamingbu0 发表于 2015-4-10 12:08
感谢楼上的回复,电路图如下,需要几十ns以内就可以

既然你需要峰值250V的脉冲,为何要用2kV电源?低一些不行?

R3想必是为谷值50V而设。但R3串联在源极有诸多不便之处。能不能串联在MOS管漏极?

使用特权

评论回复
8
LittleSnowBall| | 2015-4-10 23:45 | 只看该作者
5K可以试试变压器,

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

个人签名:﹎      ﹎     ﹎.. o ﹎┈﹎ ●   ○ .﹎ ﹎○▂▃▃▅▅▅▆ ┈ ┈   /█\/▓\ ﹎ ┈ ﹎﹎ ┈   ▅▅▅▅▆▇█████▇▆▅▅▅▃▂▂▂▂┈﹎

1

主题

79

帖子

2

粉丝