开发板CPU为S3C44B0X, SDRAM为HY57V641620HG（4×1M×16bit).在S3C44B0X推荐的电路连接中，如果连接的是4×1M×16bit的SDRAM,CPU的A12～A1引脚应当连接SDRAM的A11~A0引脚；CPU的A22~A21引脚应当连接SDRAM的BA1～BA0引脚。
现在的问题是，我觉得SDRAM的BA1~BA0引脚应当连接CPU的A2～A1引脚。因为如果CPU的A22~A21引脚应当连接SDRAM的BA1～BA0引脚,就是将SDRAM作为一个高位交叉存储器，只能提高DRAM的容量而不能提高速度；只有当SDRAM的BA1~BA0引脚应当连接CPU的A2～A1引脚，才能将SDRAM作为一个低位交叉存储器，才能提高SDRAM的速度啊？
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