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[逆变器]

MOSFET的Cgd电容

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Hoganliao|  楼主 | 2015-4-3 14:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电容, 栅极, 电压, 耦合
经常看帖子中讲到，MOSFET的Cgd电容会将漏源极间电压耦合到栅极上，导致MOSFET烧坏，请问这一过程是怎么进行的，求大神帮忙解释，非常谢谢

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沙发
yytda| | 2015-4-3 16:38 | 只看该作者
没看到过有这种说法啊。如果真有这种说法，说说我自己理解，就是电容的特性是隔直通交，MOS是以高频工作的，电容阻抗会小很多，漏栅极电容属于寄生电容，漏极一般接变压器，有三百多伏的高压，并持续的震荡，因为电容对高频阻抗很小，所以这个漏极电压会耦合到栅极上面。造成栅极过压损坏。在栅源极间并一电阻可以缓解这种现象。以上内容纯属猜测。

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