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 第四十一章 外部SRAM实验
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第四十一章 外部SRAM实验-STM32F4开发指南-正点原子探索者STM32开发板.pdf.pdf
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1.硬件平台：正点原子探索者STM32F407开发板2.软件平台：MDK5.13.固件库版本：V1.4.0
STM32F407ZGT6自带了192K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32F4自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用，所以探索者STM32F4开发板板载了一颗1M字节容量的SRAM芯片：IS62WV51216，满足大内存使用的需求。 本章，我们将使用STM32F4来驱动IS62WV51216，实现对IS62WV51216的访问控制，并测试其容量。本章分为如下几个部分： 41.1 IS62WV51216简介 41.2 硬件设计 41.3 软件设计 41.4 下载验证
41.1 IS62WV51216简介IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点： l 高速。具有45ns/55ns访问速度。 l 低功耗。 l TTL电平兼容。 l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。 l 三态输出。 l 字节控制功能。支持高/低字节控制。 IS62WV51216的功能框图如图41.1.1所示：
图41.1.1 IS62WV51216功能框图 图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；IO0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号； 探索者STM32F4开发板使用的是TSOP44封装的IS62WV51216芯片，该芯片直接接在STM32F4的FSMC上，IS62WV51216原理图如图41.1.2所示： 
图41.1.2 IS62WV51216原理图 从原理图可以看出，IS62WV51216同STM32F4的连接关系： A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不过顺序错乱了） D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 上面的连接关系，IS62WV51216的A[0:18]并不是按顺序连接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不过这并不影响我们正常使用外部SRAM，因为地址具有唯一性。所以，只要地址线不和数据线混淆，就可以正常使用外部SRAM。这样设计的好处，就是可以方便我们的PCB布线。 本章，我们使用FSMC的BANK1 区域3来控制IS62WV51216，关于FSMC的详细介绍，我们在第十八章已经介绍过，在第十八章，我们采用的是读写不同的时序来操作TFTLCD模块（因为TFTLCD模块读的速度比写的速度慢很多），但是在本章，因为IS62WV51216的读写时间基本一致，所以，我们设置读写相同的时序来访问FSMC。关于FSMC的详细介绍，请大家看第十八章和《STM32F4xx中文参考手册》。 IS62WV51216就介绍到这，最后，我们来看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。FSMC的详细配置介绍在之前的LCD实验章节已经有详细讲解，这里就做一个概括性的讲解。步骤如下： 1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。 要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。 使能FSMC时钟的方法前面LCD实验已经讲解过，方法为： RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟 配置IO口为复用输出的关键行代码为： GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出 关于引脚复用映射配置，这在LCD实验章节也讲解非常详细，调用函数为： void GPIO_PinAFConfig(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_PinSource, uint8_t GPIO_AF); 针对每个复用引脚调用这个函数即可,例如GPIOD.0引脚复用映射配置方法为： GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12 2）设置FSMC BANK1 区域3的相关寄存器。 此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。本章我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。这个是通过调用函数FSMC_NORSRAMInit来实现的，函数原型为： void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct); 3）使能BANK1区域3。 最后，只需要通过FSMC_BCR寄存器使能BANK1，区域3即可。使能方法为： FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3 通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。 41.2 硬件设计本章实验功能简介：开机后，显示提示信息，然后按下KEY0按键，即测试外部SRAM容量大小并显示在LCD上。按下KEY1按键，即显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。 本实验用到的硬件资源有： 1） 指示灯DS0 2） KEY0和KEY1按键 3） 串口 4） TFTLCD模块 5） IS62WV51216 这些我们都已经介绍过（IS62WV51216与STM32F4的各IO对应关系，请参考光盘原理图），接下来我们开始软件设计。 41.3 软件设计打开外部SRAM实验工程，可以看到，我们增加了sram.c文件以及头文件sram.h，FSMC初始化相关配置和定义都在这两个文件中。同时还引入了FSMC固件库文件stm32f4xx_fsmc.c和stm32f4xx_fsmc.h文件。 打开sram.c文件，代码如下： //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10 //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17 //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18 #define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) //初始化外部SRAM void FSMC_SRAM_Init(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOB|RCC_AHB1Periph_GPIOD| RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOF|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD,PE,PF,PG时钟 RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_15;//PB15 推挽输出,控制背光 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;//普通输出模式 GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;//100MHz GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉 GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);//初始化 //PB15 推挽输出,控制背光
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(3<<4)|(0XFF<<8);//PD0,1,4,5,8~15 AF OUT GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出 GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉 GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化
……//省略部分GPIO初始化设置
GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12 GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12 ……//省略部分GPIO AF映射设置 GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC); GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间为1个HCLK readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间模式A未用到 readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x08; //数据保持时间为9个HCLK readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00; readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00; readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00; readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// NE3 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait= FSMC_AsynchronousWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK1区域3 } //在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节. //pBuffer:字节指针 //WriteAddr:要写入的地址 //n:要写入的字节数 void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; WriteAddr++; pBuffer++; } } //在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节. //pBuffer:字节指针 //ReadAddr:要读出的起始地址 //n:要写入的字节数 void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n) { for(;n!=0;n--) { *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr); ReadAddr++; } } 此部分代码包含3个函数，FSMC_SRAM_Init函数用于初始化，包括FSMC相关IO口的初始化以及FSMC配置；FSMC_SRAM_WriteBuffer和FSMC_SRAM_ReadBuffer这两个函数分别用于在外部SRAM的指定地址写入和读取指定长度的数据（字节数）。 这里需要注意的是：FSMC当位宽为16位的时候，HADDR右移一位同地址对其，但是ReadAddr我们这里却没有加2，而是加1，是因为我们这里用的数据为宽是8位，通过UB和LB来控制高低字节位，所以地址在这里是可以只加1的。另外，因为我们使用的是BANK1，区域3，所以外部SRAM的基址为：0x68000000。
图41.4.2 外部SRAM测试界面
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