总线上挂了太多器件，会导致工作不正常么？

只看该作者 · 2007-6-27 08:41

数据总线上有ARM，DSP，SRAM 2，FLASH，AD，CS8900，单独测每一部分都是没问题的，但所有器件都焊上后，程序从FLASH加载到SRAM会跑飞，确定不是程序的问题，我诊断是总线上器件太多的缘故，但为什么会这样呢？难道在用个74LS245增加驱动？但我是16位数据总线，有没有16位的驱动芯片？

只看该作者 · 2007-6-27 08:58

只看该作者 · 2007-6-27 09:09

自己用的话就用两个245就行了，16ｂｉｔ的贵点

只看该作者 · 2007-6-27 11:51

高手们能解释一下为什么器件挂多了不行？各个器件都有片选，并不是同时使用总线啊。有可能是每个器件的数据口都有输入电容，器件多少，电容太大？

只看该作者 · 2007-6-27 11:56

我的总线上挂的器件不少，没有任何问题。数据总线上加了上拉电阻没有/
单独测每一部分都是没问题的，那就一个一个往上加，看看到底是那部分出了问题/查的方法很简单。

只看该作者 · 2007-6-27 14:02

SRAM的影响大一些，取下其中一片后就没问题，或者把CYPRESS的换成兼容的SAMSUNG的也没有问题.

只看该作者 · 2007-6-27 17:23

而且没有留有余地。
一般TTL可以直接带8个负载，一般取6，CMOS器件带负载能力更弱，还应酌情减少。超过的，需要加驱动器件。

只看该作者 · 2007-6-28 22:40

应该就可以了

只看该作者 · 2007-6-28 22:53

你看一下，两种芯片的参数是否一样，都是多少 ns的，如果都是70ns的，则与速度无关，再看功耗部分，如果速度不同，注意可能是你的总线访问RAM太快了，需要加总线延时等待，我的at91 需要在 EBI中设定，不知道你用的是哪种ARM, 反正就这两种可能，功耗和速度，我估计速度的方面大一些。

另外，数据总线加上拉电阻，这个你试一下。

只看该作者 · 2007-6-29 08:58

SRAM速度问题我已经考虑到了，SAMSUNG的是50ns，Cypress的是50ns的，故我觉得不是访问速度的问题（访问的等待周期是在EBI的片选寄存器里设的，我都没加等待），Samsung的工作电流小，4mA，Cypress的工作电流最大25mA，功耗大了，可能确实是驱动能力的问题。
我用的是AT91X40系列的ARM，昨晚上查到他数据总线内部竟然没有上拉！
打算第二版加上拉电阻。
另：加上拉电阻可能会使沿变平缓吧?加上拉电阻与加驱动芯片两种方案是后者更好些？不过我个不大想用后者(4LS245)，毕竟新加了一个芯片，还需要测试，要过高温。另外它的方向控制引脚（DIR）虽然用单独WR或RD都可以控制，但我觉得用RD和WR来共同控制DIR更好些，但这就需要另外的门电路了……

1万 · 2007-6-29 10:59

只看该作者 · 2007-6-29 11:50

Cypress是45ns的

2万 · 2007-6-29 12:14

只看该作者 · 2007-6-29 16:52

7楼：负载太重了，

    而且没有留有余地。
    一般TTL可以直接带8个负载，一般取6，CMOS器件带负载能力更弱，还应酌情减少。超过的，需要加驱动器件。

13楼：注意数字电路的一个基本参数：扇出系数
／／－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
   看了二位的贴子，我也有点怀疑我的**了，难道是我记错了，上面的说法都没错。但是否应该说是同时工作的芯片，本贴中的问题是，有多个片选信号
/CS，不存在同时工作的情况，搂主，你核对一下你所用的，挂在总线上的所有芯片的数据手册，是否都有这样的说法：当片选信号为高时，芯片的Ｉ／Ｏ端都为高阻状态，如果是这样，那就与扇出系数无关！
　　
　　扇出系数是一个重要的参数，但我觉得用的前提条件有点问题，可能是我的**出了问题，待验证！闻过则喜。
　　

只看该作者 · 2007-6-29 17:22

降频使用看看还会不会出现问题。如果好了那么就是驱动能力弱导致的。

只看该作者 · 2007-7-2 21:51

我查到SRAM，在片选无效时数据口是高阻态，其它几个没查到。
降频工作应该可以的，我用的是20M时钟，但我的ARM（AT91R40807）比较弱，不能通过设置寄存器降频，换晶振又麻烦，所以没试，但在访问SRAM时在EBI的寄存器插入等待是可以正常工作的。

只看该作者 · 2007-7-3 12:31

容性负载可能太重

只看该作者 · 2007-7-4 00:04

一般不需具体计算

只看该作者 · 2007-7-4 23:04

降频工作应该可以的，我用的是20M时钟，但我的ARM（AT91R40807）比较弱，不能通过设置寄存器降频，换晶振又麻烦，所以没试，但在访问SRAM时在EBI的寄存器插入等待是可以正常工作的
--------------------------------------------------------
1：在片选无效时数据口是高阻态-----这是最基本的常识了。

2：数据总线上加上拉电阻----------这也是必需的，你可以下载一个40807的 demo原理图看看.我用的最多的是40008。

3：你的态度不够认真，这个小问题，搞了一个星期，如果我是老板，嘿嘿！！

只看该作者 · 2007-7-5 08:13

总线上挂了太多器件，会导致工作不正常么？

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用两个八位的不久行了吗

谢谢

估计是你的设计问题

我的数据总线没有加上拉电阻

负载太重了，

数据总线上加上拉电阻

把CYPRESS的换成兼容的SAMSUNG的也没有问题

多谢老狼回复

顶...

更正

注意数字电路的一个基本参数：扇出系数

有点乱！等一下！！

先

多谢回复

re：

只要驱动电流足够就没问题

数据总线上加上拉电阻 就好了！

其实就是简单的RC原理，嘿嘿

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数据总线上加上拉电阻就好了！