F28335中断写寄存器偶尔会不成功

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 楼主| xiao20041128 发表于 2015-4-8 21:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
F28335在程序中开了2个中断,定时中断1和定时中断2,中断1对寄存器A执行写操作,中断2对寄存器A执行读操作,实际运行时会发现100-1000次之间至少会有一次中断1中对寄存器A的写操作 写入失败,这个是什么原因造成的?寄存器B只有中断1写操作,中断2不操作,则不会出现写失败的情况

中断频率大致在20kHz左右;虽然发现写失败后在主程序补写一次A,可以避免出错,但由于主程序扫描周期较长,还是会影响实际功能应用
zhangmangui 发表于 2015-4-8 21:51 | 显示全部楼层
读写的时间差是固定的吗    有没有累计误差   
写失败是怎么表现出来的    ?
shenmu2012 发表于 2015-4-9 19:24 | 显示全部楼层
这个是中断影响的。
 楼主| xiao20041128 发表于 2015-4-11 23:43 | 显示全部楼层
中断是如何影响的?写的中断大概1s写一次,读是每次中断都读,大致100-1000次写会出现一次写失败,具体表现是外部控制失效
一般写内部的SRAM失败是由于什么原因,怎么样的一个过程导致的呢?
comeon201208 发表于 2015-4-12 20:27 | 显示全部楼层
这个就多试验的,比对查找原因的。
firstblood 发表于 2015-4-13 20:04 | 显示全部楼层
那就多次写入的呗。。
 楼主| xiao20041128 发表于 2018-10-7 22:29 | 显示全部楼层
解决了,确实是中断导致的,原因未知,可能在中断中写位寄存器会有问题;
把位寄存器全部改成了整型数据,OK了,其他没有动
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