(康华光 第五版)模电书中共基极连接时的V-I特性曲线
(输入特性)当时,随着的增加,输入特性曲线略向左移,说明保持不变时,随着集电结反偏电压的增加,Ie也有所增加.根据Ic=a,得到Ic变大,所以变大.但根据Ic=a.说明集电结电流受控于发射结电流.这样的话,应该是先推出变大,才能推得Ic变大.
书上也写了,反偏电压的增大将引起基区的有效宽度变化,觉得这个是个突破口.但是书上在分析共射极连接的V-I特性曲线的输入特性时,强调了:只要保持不变,则从发射区扩散到基区的电子数目不变.那显然,保持不变时,随着集电结反偏电压的增加,应该也不变. |