该N沟道MOSFET漏极continous电流75A，Drain-Source Voltage 75V，Pulsed Drain Current 250A。如图为一个单元，“无限多”并联。模组功率36KVA，已在南非使用。P，COMMON，N为三个接线柱。 现在该模组受主控板DSP控制其工作，现在COMMON端和N端都通过0.25（mm2）的跳线到DRIVER板，供其采样判断工作，再传回DSP板。暂时我也就知道这么点。 现在疑问是，COMMON端应该和P端电流一样吧？这里有多少电压？跳线传回去的是什么信号？现在这个上面是如何产生大电流以及是如何传导的？
The max continuous RMS drain current in each fet is 18.0A. The overload RMS level (30 seconds) is 30.0A The peak current (pulsed for 1 second and less) is 83.3A
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