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三极管使用

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netonet88|  楼主 | 2015-4-16 11:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
gx_huang| | 2015-4-16 13:56 | 只看该作者
普通三极管,饱和导通,退出饱和的时间,就是微妙级别的。
所以,不能进入饱和状态,可以参考电机驱动电路。

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板凳
netonet88|  楼主 | 2015-4-16 21:00 | 只看该作者
  这里有图有真像

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地板
netonet88|  楼主 | 2015-4-16 21:03 | 只看该作者

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netonet88|  楼主 | 2015-4-16 21:04 | 只看该作者
图下贴不了,zhidao.baidu.com/question/497557415397382084.htm,

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yangbinge| | 2015-4-16 21:12 | 只看该作者
可以 用图腾柱驱动,控制MOS管

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Jack315| | 2015-4-16 21:44 | 只看该作者
用三极管时,由于负载过重而导致频率上不去……建议LZ考虑场效应管,尤其是12V的那一级。

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mmuuss586| | 2015-4-17 08:19 | 只看该作者

负载电阻太小了,换低压控制的MOS看看;

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netonet88|  楼主 | 2015-4-17 15:23 | 只看该作者
有建议的MOS管吗?我之就PNP 这边就是用的MOS管,但MOS频率根本上不去,当负载为几欧时,关掉延时才会到US级

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Jack315| | 2015-4-17 16:02 | 只看该作者
netonet88 发表于 2015-4-17 15:23
有建议的MOS管吗?我之就PNP 这边就是用的MOS管,但MOS频率根本上不去,当负载为几欧时,关掉延时才会到US级 ...

原来用的是什么 MOS 管?

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netonet88|  楼主 | 2015-4-17 16:18 | 只看该作者
罗姆半导体的,具体型号记不得,看它手册上说,LR=10欧,为条件时,说可以到50纳秒级关断延时,但实际在12V,RL=40欧时,情况不一样了

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supaopcb| | 2015-4-17 16:27 | 只看该作者

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netonet88|  楼主 | 2015-4-17 20:01 | 只看该作者
在此应用中,npn管必须饱和,在放大区用时,12V开启会有滞后,更不乐观,有没有能高速从饱和状态中退出的三极管?

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netonet88|  楼主 | 2015-4-18 08:31 | 只看该作者
在网上找了一下,在链接示图中的R1 上,并一个10nf 电容,NPN管退出饱和的时间大大降低了,只有100多ns了,基本上达到要求了。能解释一下原理吗?这种用简单,有什么隐患吗?

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Lgz2006| | 2015-4-18 10:32 | 只看该作者
没看到图,推测可能指“加速电容”
可搜“基极加速电容”一试

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