高耐用性闪存和常规闪存阵列均与数据EEPROM模块有两个重要的不同之处：
a) 写操作前必须手动擦除数据，而且擦除操作只能以固定大小的块（称作行）为单位执行，块的固定大小由闪存阵列内部设计决定。
b) 写入闪存时会使MCU停顿几毫秒。相比之下，真正的数据EEPROM允许逐字节擦除，并且写周期期间不会使MCU的执行停顿，但为简单起见，大多数应用会包含延时循环来确保前面的（字节）写操作完成后再启动下一个写操作。上述区别会影响嵌入式应用的设计。当考虑使用常规或高耐用性闪存替换真正的EEPROM时，需要充分了解到这些区别。
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