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PMOS不能完全关断,求助如何解决,有原理图

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楼主
如图,我想用PMOS,型号AO3401控制FP6291的VCC输入,VBAT是锂电池的正极, 3.5V-4.2V之间变化。GPIO是单片机的IO口,单片机是3.3V的输出。现在PMOS导通是没问题了。GPIO输出0即可。
但是GPIO输出1时,MOS不能完全关断,特别是VBAT是4.2V时,更是不能关断,求如何增加最少元器件,比如1个三极管或者1个MOS之类解决此问题。

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沙发
ZG11211| | 2015-4-16 20:49 | 只看该作者
单片机3.3V,锂电4.2V,出现倒灌了,GPIO到PMOS加一个NPN管试试。

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huayuliang 2015-7-14 10:34 回复TA
这个不叫倒灌吧? 
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华丽生活| | 2015-4-16 22:07 | 只看该作者
PMOS加个到4.2V的上拉,IO不能耐4.2的话再加个MOS管或者三极管

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地板
乙天| | 2015-4-16 22:27 | 只看该作者
AO3401的VGS比较低。4.2-3.3V够开启AO3401了。

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5
renzhu| | 2015-4-17 07:42 | 只看该作者
或者使用比较器电路来驱动

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6
xmar| | 2015-4-17 08:35 | 只看该作者

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7
yhf311| | 2015-4-17 10:19 | 只看该作者
最简单的应该是GS之间和S上接电阻,通过电压的分压,来满足输出高电平时MOS管不导通的条件。

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8
ayl439| | 2015-4-17 10:54 | 只看该作者
推荐6楼的方法

另外还有个另类方法:一个4148二极管加一个较大阻值电阻。

接法如下:GPIO接二极管负极,二极管正极接MOS栅极和电阻的一端,电阻的另外一端接VBAT。

一个二极管不够的话,用两个,有过类似你这样的应用经验。

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9
wuhanrf| | 2015-4-17 11:26 | 只看该作者
6楼正解,

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10
mmuuss586| | 2015-4-17 12:18 | 只看该作者

再怎么说,GS至少加个上拉电阻;

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11
amd1217| | 2015-4-17 12:37 | 只看该作者
PMOS重新选型,VGS开启电压要大一点的 (4.2-3.3小了)

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12
jjeemm77| | 2015-4-17 14:41 | 只看该作者
MOS管的工作条件还是不清楚…

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13
懒懒熊_006| | 2015-4-17 15:18 | 只看该作者
加一个NPN三极管控制就可以了

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14
ZDR_OK| | 2015-4-17 15:32 | 只看该作者
GS之间加一电阻,关闭的时候IO口输出高阻就好了。

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15
winterchen20| | 2015-4-17 15:35 | 只看该作者
GS间加个100K电阻,G极加个200Ω电阻,类似下图(忽略二极管和R63)


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16
lifevast01| | 2015-4-19 22:47 | 只看该作者
6楼是最合理的方法

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17
lifevast01| | 2015-4-19 22:49 | 只看该作者
15楼的不可取,电池电压本来就低,串二极管有正向压差

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18
aliu_us| | 2015-4-23 15:30 | 只看该作者
如果GPIO耐4.2V电压的话,2楼的最简单。
不过关的时候GPIO要设置成3态吧。

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19
禤少| | 2015-7-14 08:54 | 只看该作者
用两个mos管,一个是nmos的栅极有MCU控制,后一个pmos,栅极由nmos的漏极控制,当然一些电阻还是要的

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20
李冬发| | 2015-7-14 09:45 | 只看该作者
GPIO后加个三极管G再到FET

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