nand flash 问题

只看该作者 · 2007-10-23 21:48

ADS编译环境C语言
nand flash 存储芯片的地址如block,Column Address与Page Address
怎么理解啊  看了data sheet  还是不太明白？
比如block,
是不是操作第一块，送入地址是0x0001;
操作第二块，送入地址是0x0002;
然后以此类推，
这样理解对不？
还有写入数据时，怎么读出的都是0xFF   什么原因？
新手迫切  期盼解答

1万 · 2007-10-23 22:48

Column Address是页内地址。

写入数据后，读出的都是0xFF是因为你没有写对。

只看该作者 · 2007-10-23 23:54

NAND Flash由很多个Block组成，每个Block又由很多个Page组成，每个Page一般有512字节（最新产品有的一个Page是2048字节）。
NAND Flash擦除的最小单位是Block
NAND Flash写入的最小单位是Page

NAND Flash除了第一个Block之外，其他的Block都有可能是坏块，因此，需要有坏块处理机制。

如果LZ对硬盘有了解的话就会发现NAND Flash的组织其实和硬盘几乎一致。

NAND Flash                 硬盘
--------------------------------------------
First Block -----------> 零磁道零扇区(0 sector)
Block       -----------> 簇（cluster）
Page        -----------> 扇区(sector)

一般NAND Flash都搭配了Nand Controllor来使用的。
如果需要完全的使用I/O来访问Nand，LZ可以参考以下其他人的代码，Nand的Driver几乎都是一样的。

只看该作者 · 2007-10-24 08:52

谢谢楼上两位，我用的是海力士的芯片   网上的资料比较少

下面分别是擦除、写和读的函数
uint8 Flash_BlockErase(uint32 BlockAddr)
uint8  Flash_WriteByte(uint16 ColAddr,uint32 PageAddr,uint8 data)
uint8 Flash_ReadByte(uint16 ColAddr,uint32 PageAddr)
里面的参数地址我该怎么写
哪位大哥提示一下？
我也觉得写数据的地方有问题，可能是时序的问题
感谢各位的帮忙