nand flash 问题

发表于 2007-10-23 21:48

ADS编译环境C语言 nand flash 存储芯片的地址 如block,Column Address与Page Address 怎么理解啊  看了data sheet  还是不太明白？ 比如block,  是不是操作第一块，送入地址是0x0001; 操作第二块，送入地址是0x0002; 然后以此类推， 这样理解对不？ 还有写入数据时， 怎么读出的都是0xFF   什么原因？ 新手 迫切  期盼解答

发表于 2007-10-23 22:48

Column Address是页内地址。 写入数据后，读出的都是0xFF是因为你没有写对。

发表于 2007-10-23 23:54

NAND Flash由很多个Block组成，每个Block又由很多个Page组成，每个Page一般有512字节（最新产品有的一个Page是2048字节）。 NAND Flash擦除的最小单位是Block NAND Flash写入的最小单位是Page NAND Flash除了第一个Block之外，其他的Block都有可能是坏块，因此，需要有坏块处理机制。 如果LZ对硬盘有了解的话就会发现NAND Flash的组织其实和硬盘几乎一致。  NAND Flash                 硬盘 -------------------------------------------- First Block -----------&gt 零磁道零扇区(0 sector) Block       -----------&gt 簇（cluster） Page        -----------&gt 扇区(sector) 一般NAND Flash都搭配了Nand Controllor来使用的。 如果需要完全的使用I/O来访问Nand，LZ可以参考以下其他人的代码，Nand的Driver几乎都是一样的。

发表于 2007-10-24 08:52

谢谢楼上两位，我用的是海力士的芯片   网上的资料比较少 下面分别是擦除、写和读的函数 uint8 Flash_BlockErase(uint32 BlockAddr) uint8  Flash_WriteByte(uint16 ColAddr,uint32 PageAddr,uint8 data)  uint8 Flash_ReadByte(uint16 ColAddr,uint32 PageAddr) 里面的参数地址我该怎么写 哪位大哥提示一下？ 我也觉得写数据的地方有问题，可能是时序的问题 感谢各位的帮忙

发表于 2007-10-26 22:55

谁发布的函数你就找谁。

nand flash 问题

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