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求助分析可控硅易烧

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dengwenlai|  楼主 | 2015-4-18 09:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅, 电机, 控制, 电压, 电机正反转
本帖最后由 dengwenlai 于 2015-4-18 09:19 编辑

     各位工程师好，我想请教一下我现在这个方案设计中的可控硅会烧，批量生产出来的比列有3%左右。但查不出原因。这是一个控制、检测碳刷直流电机正反转的方案,电机堵转时平均功率可超过400W，可控硅是8A/600V的。请帮忙分析一下。     现在方案是可控硅两端是没有加RC吸收的，因为可控硅两端的不会产生有尖峰电压，基本不会因电压烧掉可控硅。但有做电流保护检测，在超过2A左右时，电机就会停掉（芯片控制）。

Protel Schematic.pdf

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沙发
maychang| | 2015-4-18 11:45 | 只看该作者
看不出你的晶闸管是怎么触发的。
甚至看不出你的两支继电器是怎么吸合的。

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板凳
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-18 14:24 | 只看该作者
本帖最后由 dengwenlai 于 2015-4-18 14:31 编辑
maychang 发表于 2015-4-18 11:45
看不出你的晶闸管是怎么触发的。
甚至看不出你的两支继电器是怎么吸合的。 ...

可能你要先看这里的电源组成，电源主输出是12V，这里是用来给继电器供电的，VDD是FLY BUCK后供过来的，但是这里我没有做成隔离，而是相当于给12V做一个地的回路，也是晶闸管r的控制交流回路了。VDD是相对自身的GND才形成5V。
由于晶闸管的控制的交流回路跟VDD是同相的，也就是相当于是VDD 。现在是用三极管控制，当三极管导通时晶闸管门控端有电流流过，晶闸管导通。继电器控制因为12V是相对于5V为地形成的，所以控制继电器就用了两个三极管来控制。

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地板
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-18 14:38 | 只看该作者
怎么都只看不回呢，郁闷。:L

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5楼
maychang| | 2015-4-18 16:47 | 只看该作者
dengwenlai 发表于 2015-4-18 14:24
可能你要先看这里的电源组成，电源主输出是12V，这里是用来给继电器供电的，VDD是FLY BUCK后供过来的，但 ...

“继电器控制因为12V是相对于5V为地形成的”
这个我看得出来。
既然“12V是相对于5V为地”，那么电流是从12V流向5V，亦即7805输出端电流是流入(除非7805有二倍于继电器工作电流的负载)。7805输出端绝对不允许电流流入。

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6楼
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-18 17:32 | 只看该作者
本帖最后由 dengwenlai 于 2015-4-18 17:39 编辑
maychang 发表于 2015-4-18 16:47
“继电器控制因为12V是相对于5V为地形成的”
这个我看得出来。
既然“12V是相对于5V为地”，那么电流是从 ...

12V的电流是不会流过7805的，因为12V本身就是一个BUCK电路，电流回路是独立。5V的本身的能量是变压器提供过来的，5V的电流回路也是独立的。之所以把5V跟12V的地连在一块是因为y这个地也是电机电流取样电阻的回路（0.68R电阻），为了实现这样的检测，就必须把5V跟12V的地连在一起。

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7楼
李冬发| | 2015-4-19 04:37 | 只看该作者
不要分析了，你这个电路就是腌菜干。找本可控硅的书，完整看上5遍再来提问。

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8楼
PowerAnts| | 2015-4-19 07:41 | 只看该作者
楼上这个回复是“万能回复”，只需适时修改可控硅三字，便可适用于技术版90%的贴子:lol

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9楼
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-20 08:42 | 只看该作者
king5555 发表于 2015-4-18 22:04
双向可控硅的两个阳极接反了，是T1接到VDD。

:L，我的原理图上是画错了，不过PCB是没有错的。不然也不可能批量生产。

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10楼
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-20 08:44 | 只看该作者
李冬发 发表于 2015-4-19 04:37
不要分析了，你这个电路就是腌菜干。找本可控硅的书，完整看上5遍再来提问。 ...

不用了吧，可控硅无非就是驱动能力、相位要求、耐压、还有功率等几个重要参数点。这几个点还是知道的。

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11楼
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-20 08:50 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2015-4-19 07:41
楼上这个回复是“万能回复”，只需适时修改可控硅三字，便可适用于技术版90%的贴子 ...

蒋工，帮我分析一下，正常使用是不会烧的，但是有浪涌时则很快就烧掉了。我现在加多了一级压敏吸收浪涌，还在可控硅两端并了一个102的电容。现在用一个10UF左右的电容冲击基本没有问题，但是超过这个数就有危险。还有就是批量时烧的机率高了一点，去到2%了。

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12楼
dengwenlai|  楼主 | 2015-4-20 14:59 | 只看该作者
king5555 发表于 2015-4-20 11:04
但是有浪涌时则很快就烧掉了。......可以换更大规格di/dt的可控硅，否则在T2端必须串联电感L>1.4l4Vac÷(di ...

按你给的公司计算出来是取2倍的话大既是12MH，你的意思是通过电感把DI/DT时间变大？那如果加一个电容在那整流之后的正负两端会不会更加好呢？还有我想知道你这个公式是怎么推算出来 的？求解。

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