提高 LED 照明应用的系统效率和可靠性

专家回复： 系统的输出功率除以输入功率得到的即为系统效率。

专家回复： 最高效率要具体你使用的拓扑结构，输入输出的电压电流来定。一般来说非隔离的能到90%以上，隔离的在85%以上。

专家回复： 要看拓扑。非隔离的能达到90%以上。

专家回复： 我们最新的超级结工艺，减小Qg和Rdson

专家回复： • 800 V 的更高击穿电压à实现电压裕量设计的灵活性 • 最低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à，提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à，提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à，提高效率 • 100% 经过雪崩测试à高可靠性 • 内置齐纳二极管à进行 ESD 保护 • 多种封装选择à多种热性能和机械设计选择

专家回复：增强型MOSFET是常闭的，耗尽型MOSFET是常通的

专家回复： •提供了电压裕量设计灵活性 • 最大限度地减小导通损耗 • 最大限度地减小开关损耗，实现更高频率 • 减少驱动损耗 • 保证高可靠性 • 提供桥式电路运行中的耐用性 • 提供内置 ESD 保护

专家回复： 以FCPF1300N80Z为例

专家回复： •800 V 的更高击穿电压à实现电压裕量设计的灵活性 • 最低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à，提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à，提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à，提高效率 • 100% 经过雪崩测试à高可靠性 • 内置齐纳二极管à进行 ESD 保护  多种封装选择à多种热性能和机械设计选择

专家回复： FCPF400N80Z采用的是仙童第三代超级结技术，降低MOSFET的Qgd，以及Coss

专家回复：足够的电压余量：1） LED电源为降低成本，很多都采用单级PFC,单级PFC工作时MOSFET的VDS电压因为反馈速度慢而变高，高的耐压可以提高电源的可靠性。 2） 电压余量足够可以把电源的占空比做大，提升效率。

专家回复： •800 V 的更高击穿电压à实现电压裕量设计的灵活性 • 最低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à，提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à，提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à，提高效率 • 100% 经过雪崩测试à高可靠性 • 内置齐纳二极管à进行 ESD 保护  多种封装选择à多种热性能和机械设计选择

专家回复： •降低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à，提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à，提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à，提高效率

专家回复： •这个800 VSuperFET2 产品最大的特点是它能承受超过800V的更高击穿电压，这能帮助提供设计上电压裕量的灵活性 • 每一个mosfet都会在生产线作100%的雪崩测试。 它也有强健的体二极管，能提高在桥式电路的可靠度,與提供内置 ESD 保护

专家回复： 可以参考以下两个用SuperFET MOSFET的照明评估版： https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l52u050a.pdf https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l51u030a.pdf

专家回复： 温度低---》效率高   效率高： 1）Rdson低--》导通损耗低                  2）Qg， Ciss ，Coss低--》开关损耗低

专家回复： 价格问题可电话咨询这个页面上的经销商，https://www.fairchildsemi.com.cn/get-help/contact-distributor/