三星S3C2410,主频200MHz 但是我测的结果是片内sram是1.25us,片外sdram是1.00us,感觉指令周期不应该这么低。 是不是我测试的程序不合理呀??
我的程序是:
#define rGPECON (*(volatile unsigned *)0x56000040) //Port E control #define rGPEDAT (*(volatile unsigned *)0x56000044) //Port E data #define rGPEUP (*(volatile unsigned *)0x56000048) //Pull-up control E
int Main()
{ rGPECON=0x04000000; /*设置I/O口GPE13为输出属性*/ rGPEUP=0xffff; /*禁止GPE端口的上拉*/ while(1) { rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/ rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */ rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/ rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */ rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/ rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */ rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/ rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */ rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/ rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */ } }
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