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2410的指令周期的问题

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armfan|  楼主 | 2008-2-25 15:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三星S3C2410,主频200MHz
 
但是我测的结果是片内sram是1.25us,片外sdram是1.00us,感觉指令周期不应该这么低。
是不是我测试的程序不合理呀??

我的程序是:

#define rGPECON    (*(volatile unsigned *)0x56000040) //Port E control
#define rGPEDAT    (*(volatile unsigned *)0x56000044) //Port E data
#define rGPEUP     (*(volatile unsigned *)0x56000048) //Pull-up control E


int Main()

{ rGPECON=0x04000000; /*设置I/O口GPE13为输出属性*/
   rGPEUP=0xffff; /*禁止GPE端口的上拉*/
   while(1)
    {
     rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/
     rGPEDAT=0x0;  /*输出低电平, */
     rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/
     rGPEDAT=0x0;  /*输出低电平, */
     rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/
     rGPEDAT=0x0;  /*输出低电平, */
     rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/
     rGPEDAT=0x0;  /*输出低电平, */
     rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平,*/
     rGPEDAT=0x0;  /*输出低电平, */
    
    }
}

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沙发
阿南| | 2008-2-25 21:11 | 只看该作者

楼主要参考datasheet的时钟部分,各个外围(当然也包括SDRAM)的

时钟还是要由系统时钟分频得到的.楼主先详细计算一下,再和测试结果作比较

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板凳
平常人| | 2008-2-25 21:15 | 只看该作者

LZ忘了考虑I/O口的速度

检测存储器的速度不能把I/O口的访问牵扯进来,否则无法得到正确的结果。

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