高手帮我(有关输入电容)

只看该作者 · 2008-5-29 11:44

我用小信号驱动MOS管,但是由于有输入电容存在,信号被改变了,
我想用个电阻并到G,S间,但小电阻就把输入电阻降下来,本来MOS是高阻输入的,
大电阻并上去效果不明显,另外并电阻就增加功耗,谁可以帮我看下这个问题怎么可以解决? 谢谢大家,请帮我 !

1万 · 2008-5-29 11:52

3万 · 2008-5-29 12:02

只看该作者 · 2008-5-29 12:38

换个GS电容小的管；或者增加一级缓冲电路。

你说的这个增加一级电路是在哪加?
是在信号和MOS之间加?可是不论在哪加,MOS都有输入电容,
怎么样可以让MOS管随信号快速变换?信号频率在0.5khz,应该是低频

只看该作者 · 2008-5-29 13:10

只看该作者 · 2008-5-29 13:11

4万 · 2008-5-29 16:17

只看该作者 · 2008-5-29 17:19

减小驱动电路的输出阻抗可以提高信号源的带负载能力,可是MOS是高阻输入,
应该对前级电流要求不大,那么减小驱动电路输出电阻的用意是啥?

4万 · 2008-5-29 17:23

MOS的高输入阻抗是针对直流的。

只看该作者 · 2008-5-29 18:11

如果信号源的输出电阻降低,通过电容的时候就不会被影响?
我不太理解,我有两个问题:
1: 那么是不是高频信号通过MOS的时候输入电容就对信号的影响小?因为电容对高频信号阻抗小,可实际情况似乎是信号频率越高,输入电容对信号的影响越大,MOS的开关性能越差.
2:就是输降低信号源的输出电阻,那么这个是用什么原理使信号通过MOS的时候输入电容影响小

谢谢您帮我回答问题 !

2万 · 2008-5-29 18:23

一个电容串一个电阻，电容一端接地，电阻一端接信号源，自己分析一下中点对地的信号和电阻和电容和信号频率间的关系。

1万 · 2008-5-29 18:51

只看该作者 · 2008-5-30 11:24

提高信号源的驱动能力可以减小输入电容的原理是什么?
谁可以赐教下?

只看该作者 · 2008-5-30 11:31

电容阻抗也好，电阻也好，说白了都是阻呗，加大驱动能力应该能解决呗

只看该作者 · 2008-5-30 12:17

我最近也遇到了开关速度的问题。咱们交流交流。
我用的开关管是IRFP4242，输入电容达到7370pF，使用了MAX4420做实验（驱动2500pF时提供6A），效果不好，关断速度高达3us。
查到一款微芯的4452，可以提供12A@10000pF,但怎么也买不到。

你要找着告诉我啊！longtsuan@yahoo.com.cn

这是我根据掌握的资料的一些理解，请高手指点：
功率开关的速度约束于开关晶体管的输入电容Ciss，为了使晶体管导通或者截止，必须有一定电量的电荷（器件手册中的Qg指标）移到该寄生电容上或者移走，而这需要一定的时间，而此时间取决于能提供多大的供电电流。
器件开通和关断时的栅极供电电流的数值，等于栅极充电电荷除以上升时间或下降时间。我所关心的是关断时间，有：
I gate charge= Qg/tfall；
我选用的开关MOSFET IRFP4242PbF指标：
Ciss = 7370pF，Qg = 247nC，tfall = 48ns
I gate charge = 247nC/48ns = 5.2A，因此需要这样一个MOSFET驱动器：在驱动7370pF的电容时能够提供5.2A的源电流或者沉电流。
此部分参考《功率电子学》(J. Michael Jacob)，其“MOSFET 开关驱动器”一节讲解了提高开关速度的原理及方法。

3万 · 2008-5-30 12:34

只看该作者 · 2008-5-30 14:27

象以上的这些高手怎样学习的？通过怎样的方式使自己在模拟电路方面能成为真正的高手？你们在模拟电路领域里混多久了？
什么时候才能够达到象你们那样理解电路的深度呀？
高手的不吝赐教啊，分享你们的经验．
先向各位高手敬礼！！！！

只看该作者 · 2008-5-30 15:56

驱动MOS管的专用集成电路我查了,
大家似乎常用IR2110,
本来我不想用专用集成电路的,
另外你说的《功率电子学》有电子版没?
可不可以发我一份?
yaowandaodu@yahoo.com.cn

只看该作者 · 2008-5-30 16:23

没有电子版，在图书馆借的。

高手帮我(有关输入电容)

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