求助，帮分析下这个电路现象的原因

登录 · 发表于 2015-5-9 22:00

本帖最后由 wangziaiyun 于 2015-5-10 11:18 编辑

相关的电路图如下见附件：

帮分析下原因，该如何解决这个问题。谢谢各位！

发表于 2015-5-10 00:31

右下方，运放输出的接法，

这电路对吗？

发表于 2015-5-10 09:39

玄德发表于 2015-5-10 00:31
右下方，运放输出的接法，

这电路对吗？

那是导进来画反了

发表于 2015-5-10 09:40

king5555 发表于 2015-5-10 09:17
运放水平翻转180度了。

下面那个运放，后面在反馈电阻上并联一个10pF的电容，效果也差不多。

发表于 2015-5-10 09:55

先把原理图搞清楚了再问。。。

发表于 2015-5-10 11:19

huayuliang 发表于 2015-5-10 09:55
先把原理图搞清楚了再问。。。

现在搞清楚了，欢饮指点，谢谢！

发表于 2015-5-10 12:06

这是典型的自激，上OP不要开环控制，做成差动放大会比较好，在OP输出端与反相端并一个100PF的电容。

发表于 2015-5-10 12:16

zyj9490 发表于 2015-5-10 12:06
这是典型的自激，上OP不要开环控制，做成差动放大会比较好，在OP输出端与反相端并一个100PF的电容。 ...

我再问下，MOS管和下面的OP能不能算作是上面OP的反馈环路环节？

发表于 2015-5-10 12:19

wangziaiyun 发表于 2015-5-10 12:16
我再问下，MOS管和下面的OP能不能算作是上面OP的反馈环路环节？

算，总的环路增益太大，带宽没有大限制必定会振荡。

发表于 2015-5-10 13:48

zyj9490 发表于 2015-5-10 12:19
算，总的环路增益太大，带宽没有大限制必定会振荡。

非常感谢您的答复。如果这个恒流源的输出电流是1.2A，则流过MOSFET管的电流也是1.2A，那么此时MOS管功耗较大。有没有办法通过提高MOSFET管在线性区的效率以减低其发热功耗。

发表于 2015-5-10 14:55

wangziaiyun 发表于 2015-5-10 13:48
非常感谢您的答复。如果这个恒流源的输出电流是1.2A，则流过MOSFET管的电流也是1.2A，那么此时MOS管功耗 ...

在电源电压固定的条件下，MOS管的功耗取决于负载的分压和VDS的分压，如果大部分压降都在负载上，MOS管的功耗自然，还有电源电压不固定状况，要实现通过检测VDS的电压进行电源电压的调整，这会增加电路的复杂性，还有多个MOS管并联（特性要一致），这会增加选器件的难度。还有均流的问题。

登录 · 发表于 2015-5-10 17:46

由于MOSFET的栅极电容较大，需要衰减高频增益。
具体的做法和你的运放以及MOSFET有关。

基本的电路形式：
R1 C1 R2
以及
C2