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[电子元器件]

求助：寻找一种 P-MOSFET，VGS(th) 绝对值 大于等于 6V

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knight_21ic|  楼主 | 2015-5-12 22:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, os, 封装
求助：寻找一种 P-MOSFET，VGS(th) 绝对值 大于等于 6V

先封装大小不用考虑，只要能找到这个特性的P-MOSFET就好了


先谢谢大家！
       

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沙发
maychang| | 2015-5-12 23:29 | 只看该作者
要VGS(th) 绝对值很小，比较麻烦。
要VGS(th) 绝对值大，很简单，串联一支稳压管就行，如果需要稳压值比较小，也可以利用LED正向压降。

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板凳
william008| | 2015-5-13 12:58 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-5-12 23:29
要VGS(th) 绝对值很小，比较麻烦。
要VGS(th) 绝对值大，很简单，串联一支稳压管就行，如果需要稳压值比较 ...

仅仅简单的的串稳压管是不行的，因为栅极的电流几乎为零。电流极小的时候，稳压管两端电压并不是个确定的值

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地板
maychang| | 2015-5-13 15:05 | 只看该作者
william008 发表于 2015-5-13 12:58
仅仅简单的的串稳压管是不行的，因为栅极的电流几乎为零。电流极小的时候，稳压管两端电压并不是个确定的 ...

绝大多数MOS管开关电路(楼主显然不是线性应用)，MOS管门极和源极之间几乎都要并接一支电阻，且电阻数值不能太大。因为此电阻的存在，串联稳压管后门极的状态基本上可以确定。
之所以不向楼主推荐两支电阻分压，是因为两支电阻分压对MOS管开通关断速度的影响相当大(由于MOS输入电容)。

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5楼
knight_21ic|  楼主 | 2015-5-13 17:09 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-5-13 15:05
绝大多数MOS管开关电路(楼主显然不是线性应用)，MOS管门极和源极之间几乎都要并接一支电阻，且电阻数值不 ...

我是做线性应用的，要求VGS(th) 要高于6V，加稳压二极管或电阻之类的方法也考虑过，是行不通的（因为mosfet是压控，电流很小pA级）。

还是需要VGS(th) 指标上大于 6V的

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6楼
william008| | 2015-5-13 17:16 | 只看该作者
不如把你具体的应用说一下，可能有变通的办法，不一定要VGS(th)高于6V

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7楼
st.you| | 2015-5-13 17:33 | 只看该作者
6V之后呢？曲线要求

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8楼
Jack315| | 2015-5-13 19:15 | 只看该作者
分压行不行？

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9楼
lyjian| | 2015-5-14 12:42 | 只看该作者

电阻分压

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