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把晶振的负载电容搞大了会怎样

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lvziwei|  楼主 | 2009-6-3 18:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶振, 电容, ARM, 正弦波, 电压
人物：
ARM 、12M晶振和晶振的负载电容。
事件：
晶振的负载电容，规格书要求30pF，而我实际上提供了近60pF（两个100pF的)。
现象：
ARM烧程序较慢，程序下载成功后可以正常工作；晶振的输出频率11.9M；输出电压波形依旧正弦波，但幅值由以前电容匹配时的2v，变为2.5v。
问题：
负载电容由规定的30pF 变为60pF，对晶振寿命是否有影响；为什么ARM写程序变慢了。
已经量产，焊板结束，突然发现这个事故，望大家多多帮忙，不胜感激。
 

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沙发
false| | 2009-6-4 16:42 | 只看该作者

把晶振搞大了，可以生一个30p的小晶振了

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板凳
jxb163| | 2009-6-22 13:57 | 只看该作者

强！

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地板
jxb163| | 2009-6-22 14:10 | 只看该作者

啊

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5楼
jasonell| | 2009-6-22 14:11 | 只看该作者

能起振，就影响不大。

加大负载电容，一 频率会降低，但降低的不多，
二，波形更稳定，频谱更纯，三，起振会困难些。

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6楼
51414| | 2009-6-22 17:30 | 只看该作者

2楼的强

二楼的真强

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7楼
pa2792| | 2010-5-7 15:39 | 只看该作者
补偿电容，变吸收电容？起振困难。

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8楼
Trustbob| | 2010-5-8 11:52 | 只看该作者
起振变慢，波形更稳定

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