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人物：<br />ARM 、12M晶振和晶振的负载电容。<br />事件：<br />晶振的负载电容，规格书要求30pF，而我实际上提供了近60pF（两个100pF的)。<br />现象：<br />ARM烧程序较慢，程序下载成功后可以正常工作；晶振的输出频率11.9M；输出电压波形依旧正弦波，但幅值由以前电容匹配时的2v，变为2.5v。<br />问题：<br />负载电容由规定的30pF 变为60pF，对晶振寿命是否有影响；为什么ARM写程序变慢了。<br />已经量产，焊板结束，突然发现这个事故，望大家多多帮忙，不胜感激。<br /> <br /> |
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