很高兴通知你，2015年 6月10日，在上海张江我们将举办第二届器件模型会议(compact modeling workshop). 去年, 我们举办了第一届器件模型会议, 参加成员有半导体厂, 设计公司, 学校, 科研院所等, 反响非常热烈, 特别是对从事器件模型工作的人员提供了非常好的交流平台. 在国家大力投资和发展集成电路产业的大背景下, 除了对设计公司和半导体厂等部门加大投入外, 对于器件模型产业来说, 确实被极大得被忽略了. 然而, 器件模型恰恰是设计公司和半导体厂之间的桥梁和纽带,属于核心价值的部分. 在实际的半导体环境中, 由于最先进的技术节点制造和设计成本的增加, 设计和制造层面的知识差距会导致几个轮回的昂贵设计, 这个会让客户和供应商所得到的产品价格高出许多. 这种知识差距在实际的半导体供应链中, 由于制造和设计活动完全断开(例如, 纯晶圆代工厂和设计公司)变得更加严重. 在这种新的环境下,器件模型提供了有价值的解决方案来满足代工厂商和无晶圆厂设计公司之间的知识差距，通过提供高品质的紧凑型模型解决方案, 来提高IC产品性能,良率和避免多次设计. 国内设计公司一般直接用半导体厂的PDK, 就算模拟出来的结果和流片结果不一致, 也基本上是默默承受. 由于公司规模的限制, 没有能力评估和开发适合公司特定设计需求的模型. 而模型恰恰是给公司带来附加价值和超越其他竞争对手的重要武器之一, 所以, 这样的活动, 能够让参会的设计人员和半导体厂之间, 通过模型产业平台的连接, 让沟通变得通畅, 也使国内的设计公司, 不输在起跑线上.
这次活动, 由来自学术界, 工业界的专家把在模型领域最新的一些研究成果和发现一一展现给大家, 内容方面主要覆盖了RF, SOI, III-V和可靠性等方面. 在这次活动后, 6月11日和12日, 德国著名专家Franz Sischka 博士, 他是撰写IC-CAP MODELING HANDBOOK的作者,对测量, 软件, 模型方面有着20多年的业界经验, 他会给我们带来为期两天的器件测量和模型方面的培训,课程非常精彩, 欢迎大家积极参加.具体信息查看或者下面的附件和网站信息:
Compactmodeling workshop and training course (10th, June, 2015)
Development ofHigh Performance Monolithic Spiral InductiveDevices: from the Layout Design to the Model Dr. Raphael Valentin, XYTECHConsulting Founder&Technical Director Modeling of Transistorsin CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits Prof. Yan Wang， TsinghuaUniversity Simulation andAnalysis of Single‐Event Effects and Soft Errors Dr. Shen Chen， CTO ofCogenda PSPSOI Modelsolution for RF‐SOI Technology Sunny Zhang,Department Manager ofHHGrace Advanced RF DeviceModelling cum IC Validation Prof. Fujiang Lin，Universityof Science and Technology of China S‐parameter andNon‐linear RF modeling Dr. Franz Sischka, CEO of Sisconsult& XMOD consultant Device Measurement and Verification (11-12th ,June 2015) By Dr. Franz Sischka, CEO ofSisconsult & XMOD consultant Theme 1: DCMeasurements • Challenges • Data Verification Theme 2: CVMeasurements • Applying LCRZ Meters Theme 3: S‐Parameter Measurements • Direct Interpretation of S‐Parameter Measurements • Guide for Verified S‐Parameter Measurements Theme 4:1/f Noise • Measurements and Data Verification Theme 5:Parameter Extraction Techniques • Regression Analysis • Visual Parameter Extraction Theme 6:Fundamentals of Device Modeling • Diode (DC ‐> CV ‐> S‐parameter ‐> nonlinear RF) • HEMT Transistor Modeling (Angelov) • Passive Device Modeling: model development • based on measurementresults
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