变压器铜箔

只看该作者 · 2015-5-20 17:21

本帖最后由 xiaoyi594 于 2015-5-20 17:25 编辑

请问，看资料说，包铜箔有两种方式
1、初级次级绕组之间，铜箔首尾不能短路
2、磁芯外面，整个包起来。铜箔首尾要短路。问题是铜箔和磁芯（铁氧体）要隔离吗？直接包的话会不会短路了？

哪种好？各有什么优缺点？

另外看到一份变压器工艺书上写：协荣No831S 铜箔0.035t。最后那个t是什么单位？铜箔厚度多少？

多谢！

3万 · 2015-5-20 18:13

两种不同包铜箔的方式是为了实现不同目的，谈不到“哪种好”，也谈不到“各有什么优缺点”。

只看该作者 · 2015-5-20 19:57

maychang 发表于 2015-5-20 18:13
两种不同包铜箔的方式是为了实现不同目的，谈不到“哪种好”，也谈不到“各有什么优缺点”。 ...

感谢maychang老师回复。
能更具体一些吗？各自的目的？

我现在刚开始做反激，感觉变压器工艺上的知识狠欠缺。

1万 · 2015-5-20 20:10

0.035t就是厚0.035mm，也就是35um

1万 · 2015-5-20 20:11

不需要担心铜箔和磁心的接触

3万 · 2015-5-20 22:01

xiaoyi594 发表于 2015-5-20 19:57
感谢maychang老师回复。
能更具体一些吗？各自的目的？

变压器初级次级绕组之间加铜箔，是减小初级次级之间电容的耦合，此铜箔应该接地。
变压器铁芯之外包铜箔，主要是避免铁芯漏磁扩散到远处(铜箔环会产生涡流，涡流的磁场与漏磁相反)，其次是避免外层绕组对电路板上其它元件之间的分布电容造成的耦合。此铜箔在需要避免外层绕组与其它元件之间耦合时，也应该接地。
铜箔与铁氧体芯接触，甚至对避免绕组与其它元件耦合有好处。这相当于铁氧体芯也接了地。铁氧体并不是绝缘的，只是电阻率比较大而已。

1万 · 2015-5-21 01:02

经历过磁芯接地对辐射有改善的，
也见过一款诺亚手机充电器磁芯单根导线接地的，
小功率反激，现在常见的是用空绕组层来代替铜箔，

只看该作者 · 2015-5-21 11:52

maychang 发表于 2015-5-20 22:01
变压器初级次级绕组之间加铜箔，是减小初级次级之间电容的耦合，此铜箔应该接地。
变压器铁芯之外包铜箔 ...

感谢maychang老师。

关于“接地”还有个疑问：
1、绕组间的铜箔接地，一般是接原边地？
2、外包铜箔，一般是接次边地？

看起来这些工艺上的经验大多出自实践，不知道有没有相关的书籍可以学习？谢谢！

只看该作者 · 2015-5-21 11:54

不亦心发表于 2015-5-21 01:02
经历过磁芯接地对辐射有改善的，
也见过一款诺亚手机充电器磁芯单根导线接地的，
小功率反激，现在常见的是 ...

谢谢版主。

“用空绕组层来代替铜箔”有什么好处？绕法有什么要注意的？比如绕向，匝数。。

我看网上有些资料说，绕组间加铜箔会造成漏感加大呢，似乎有害。

只看该作者 · 2015-5-21 12:44

xiaoyi594 发表于 2015-5-21 11:54
谢谢版主。

“用空绕组层来代替铜箔”有什么好处？绕法有什么要注意的？比如绕向，匝数。。

空绕组层一般用于内屏蔽，就是绕组一端接大电容负极，另一端悬空，一般是绕满一层，成本比铜箔低，效果比铜箔差

只看该作者 · 2015-5-21 12:51

xiaoyi594 发表于 2015-5-21 11:52
感谢maychang老师。

关于“接地”还有个疑问：

无论是外屏蔽还是内屏蔽，都是接初级电容负极的，其实这个不是真正的地，如果输入是三线的，那么LN线就会通过Y电容接地，有时候Y电容还需要串联电感，次级负极也会通过Y电容接地，这都是为了过EMC的

3万 · 2015-5-21 13:17

xiaoyi594 发表于 2015-5-21 11:52
感谢maychang老师。

关于“接地”还有个疑问：

“看起来这些工艺上的经验大多出自实践”
恰好相反。

“有没有相关的书籍可以学习”？
当然有。先看《电磁学》，再看《电路分析》。

2万 · 2015-5-21 13:49

yytda 发表于 2015-5-21 12:44
空绕组层一般用于内屏蔽，就是绕组一端接大电容负极，另一端悬空，一般是绕满一层，成本比铜箔低，效果比 ...

需要指出一个大多数电源工程师的误识：一端“接地”的空绕组，并不起屏蔽作用，而是利用这一绕组产生一个反相等幅的噪声源，抵消掉一次侧向二次侧耦合的噪声，这个绕组很讲究，并不是简单地随便绕一层。应用得当，效果比铜箔还要好。

另外，地也不仅仅是大电容负极，正极也是地。Y电容有4种接法：1次侧负-2次侧负、1次侧负-2次侧正、1次侧正-2次侧正、1次侧正-2次侧负。

只看该作者 · 2015-5-21 15:03

学习！

1万 · 2015-5-21 22:05

本帖最后由不亦心于 2015-5-21 22:16 编辑

yytda 发表于 2015-5-21 12:44
空绕组层一般用于内屏蔽，就是绕组一端接大电容负极，另一端悬空，一般是绕满一层，成本比铜箔低，效果比 ...

主要还是电场屏蔽，层间电容电荷抵消，

具体看13L解释
参考资料也可以找找
陈为的讲义中《Flyback电路变压器共模噪声抵消技术》
CMG的讲义中《改进LLC电路EMI的方法》
PI一项专利中也有提及

1万 · 2015-5-21 22:24

xiaoyi594 发表于 2015-5-21 11:54
谢谢版主。

“用空绕组层来代替铜箔”有什么好处？绕法有什么要注意的？比如绕向，匝数。。

绕向和匝数很有讲究，不过我是没有功力去量化，只能测试对比，找调整方向，我曾经打样了十来种匝数和绕向的组合来寻找较佳的做法，如果公司自己有测试设备就方便多了:dizzy:
详细参考资料可以看13L和15L

加屏蔽层，漏感会增大，，，
漏感增大也不一定就有害啊，这东东本来就是一个权衡折中的考量，谐振拓扑中还故意做大漏感磁集成呢，

2万 · 2015-5-22 05:25

不仅仅是绕向和匝数，可以量化，今天起太早有点累，睡回笼觉去，抽空QQ里聊

只看该作者 · 2015-5-22 10:55

不亦心发表于 2015-5-21 22:05
主要还是电场屏蔽，层间电容电荷抵消，

具体看13L解释

感谢版主！

陈为和CMG的资料方便发一下吗？谢谢！

另外，外包铜箔接地一般是接到原边地还是次边地，还是机壳地？

1万 · 2015-5-22 13:04

xiaoyi594 发表于 2015-5-22 10:55
感谢版主！

陈为和CMG的资料方便发一下吗？谢谢！

PDF的没有，我只有纸质的，
一般是原边地吧，不过磁芯可以接原边也可以接副边，注意安规距离。
具体这一块，我其实不是很熟悉的，EMC这块经验和理论知识都很少，不敢误导你，
多多请教12L，13L两位大牛吧，我膜拜的两位大神:lol

变压器铜箔

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