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光耦接地

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楼主
zskshine|  楼主 | 2008-6-23 16:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
pengjianxue| | 2008-6-23 22:44 | 只看该作者

胡说八道

知其一,不只其二的人说的.

彭建学 上海

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板凳
ZSKSHINE| | 2008-6-25 12:36 | 只看该作者

老外工程师

但是认证工程师是资深的老外,我想他不会胡说吧

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地板
pengjianxue| | 2008-6-25 12:56 | 只看该作者

老外也不一定就对

老外也不一定就对,关键是自己要透彻

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chunyang| | 2008-6-25 13:18 | 只看该作者

如果光藕两侧的地是直通的,“隔离”就没有意义

    除非你用光藕的本意并不是为了隔离,注意这一点。至于两个光藕能否共地,应当说完全可以、一定可以、必然可以,干扰跟多个光藕是否直接共地无关,但跟系统EMC设计却可能相关,要进行相应分析。最后,估计该信息应该不是那个老外提出的,信息交流可能有问题,这仅仅是“常识”。

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ZSKSHINE| | 2008-6-25 13:28 | 只看该作者

光耦地不是直通的

这里的光耦是为了隔离继电器动作的干扰。光耦两侧的地不是直通的。
确实是老外提出来的,我当时在现场。他大概的意思是说存在磁场干扰,不能共地。

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hq_y| | 2008-6-25 14:46 | 只看该作者

光耦可以不隔离而达到抗干扰和防止TTL器件和MCU损坏的作用

1、电平转换:从24V转换到mcu的电压,5V或者3.3V
2、把线路上可能耦合的高压通过光耦前级电路(电阻限流分压+RC吸收回路),提高触发光耦门限,减小大电流的冲击;

实际上很多行业都是在大量使用共地的光耦完成电平转换;
如果不使用光耦,采用电阻限流降压吸收等等办法,接到mcu或者TTL芯片上,这些器件的损坏几乎是必然的。

至于继电器动作的干扰,我认为,只要是使用高压(相对与mcu的电压)例如12V或者24V,mcu直接控制2803驱动继电器一般是不会对mcu产生干扰的;

至少我无论是使用51还是arm7驱动继电器,都不存在被干扰的问题。而且这些产品均在复杂干扰现场批量使用。

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8
firedphoenix| | 2009-4-29 22:10 | 只看该作者

一般情况下,俺也认为既隔离,就不选择共地

一般情况下,俺也认为既隔离,就不选择共地。有共地,就有共阻抗干扰,前端的干扰信号在一定程度上会通过地线给后端造成坏影响。

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9
HWM| | 2009-4-30 08:09 | 只看该作者

光耦两端是否共地,常识性问题。

既然想共地,那就建议别用光耦,那玩意儿频响低线性差,何苦呢?另外要做电压转换也没必要用光耦。

光耦自然有光耦自己的特点和用处,它的最大特点就是“光传导”。其用处也就是在须使用光隔离的场合。当然还有一种特殊光耦,它的传导路径是外露的,其用途是利用对光路的遮挡来实现对外界信号的传感,那就另当别论。

至于光耦共地是否会影响EMC,知道EMI的途径是“传导”和“辐射”,就自然明白了。

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weshiluwei6| | 2011-5-25 21:17 | 只看该作者
MARK 学习帖

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11
HORSE7812| | 2011-5-26 11:51 | 只看该作者
学习了

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12
sjssjssjs| | 2011-5-26 20:40 | 只看该作者
路过

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13
iC921| | 2011-5-26 21:43 | 只看该作者
两个光耦都是直接接数字地。我们在做认证的时候,测试工程师说,这两个光耦不能共地,否则因为干扰会产生误动作。

根据描述,应该与隔离无关。
但是,不共地又如何同时进行测试?

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14
bnyuli| | 2011-5-27 15:30 | 只看该作者
根据需要和描述能给的措施还是不错的

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liutaojing| | 2011-5-27 20:06 | 只看该作者
学习了。。新手

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16
songzhige| | 2012-8-24 00:22 | 只看该作者
学习来了

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songzhige| | 2012-8-24 00:22 | 只看该作者
学习来了

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18
songzhige| | 2012-8-24 00:22 | 只看该作者
学习来了:):D驱动

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19
mingyanren| | 2013-2-2 12:04 | 只看该作者
学习了

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20
joyshen102| | 2013-2-2 14:19 | 只看该作者
学习来了。

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