使用Holtek单片机开发一产品,由于产品应用环境及现有设计决定MCU上电时VDD(3.6V)的充电时间为190ms;产品断电时VDD下降非常缓慢, 30s时降到1.72V, 60s时降到0.9V,90s时降到0.78V,150s时降到0.43V,180s时降到0.33V。HT45R04E内部LVR打开,复位电路采用datasheet中的典型电路。当产品断电180s后才上电时,产品处于死机状态,此时VDD已达3.6V,复位信号也处于高电平状态,但晶振不起振,部分产品中甚至测得I/O有高电平输出。进入死机状态后,必须对产品进行长时间断电,约10分钟,才能使单片机从死机状态中恢复,否则无任如何断电/上电或手动复位都不能使单片机从死机状态中恢复。修改复位电路中的延时电容的参数及外加2.7V低电压检测芯片(XC61CC2702N)均不能解决上述问题,但如果加快VDD充电时间(约为30ms时),在VDD放电时间不变的情况下,上述问题能解决。 请教各位高手,产生上述问题的根本原因是什么?在不改变VDD充电时间的情况下有无解决办法?上述死机现象是否因为发生CMOS Latch-up(闩锁)效应引起的? 非常感谢!! |