NPN三极管驱动MOS管

登录 · 发表于 2015-5-31 21:09

各位，为了高电平时导通MOS管，将电路修改如下，看下MOS管这样驱动行不行，Data高电平是3.3V

发表于 2015-5-31 21:29

Data是什么样的信号？

发表于 2015-5-31 21:49

这个和驱动频率以及驱动功率有关。

发表于 2015-5-31 22:08

这电路有问题，加给MOS的电压太低了。

发表于 2015-5-31 22:27

lyjian 发表于 2015-5-31 22:08
这电路有问题，加给MOS的电压太低了。

MOS管是IRF540，6V多驱动5A的负载应该没问题的

发表于 2015-5-31 22:37

看来你的模拟电子学得一塌糊涂。Q4 E极的最大电压是VB-0.6V。

发表于 2015-6-1 12:11

不行，画蛇添足，效果更差；

发表于 2015-6-1 14:47

三极管开关电路错了，请看6楼

发表于 2015-6-1 14:52

Q4的基极高电平输入多少

登录 · 发表于 2015-6-1 15:32

VB-0.7V=2.6V,加在场效应管的G极只有2.6V左右不能导通。看管的特性图可知，至少4V以上管才导通。

发表于 2015-6-2 21:39

这个三极管组成的电路叫射极跟随器，输出负载电阻小时才用的电路，有电流放大无电压放大，MOS管的输入电阻本来就大，这样接还不如EB直通。

发表于 2015-6-6 10:01

Q4换成PNP管，电路稍作修改！！

[电路/定理] NPN三极管驱动MOS管