一、问题说明
LED恒流驱动芯片，精度要求±3%，成测时只监控CS比较器参考电压VREF，卡值范围±3%，问题：实际上芯片的恒流精度超过了±3%。
二、问题分析
芯片内置MOS，产品可通过调节CS对地电阻Rcs（小于1 ohms）来设计LED电流Io（Io=0.5*Ipeak）。内部 CS比较器参考电压为VREF，带斜率补偿，△U为受工艺波动影响导致的斜率补偿未能完全补偿所产生的电压差；芯片内部CS脚绑定线及其两个压焊头由于存在几十毫欧姆的寄生电阻R（随生产批次会产生变化），即真正的Io=0.5*Ipeak=0.5*（VREF+△U
）/（Rcs+R），虽然△U相对于VREF比较小，R相对于Rcs也比较小，△U和R仍会影响输出电流精度。
三、解决方案
（1）降低寄生电阻R，方法：增大线径，减小线长，管控封装，保证各批次间寄生电阻R尽量保持一致。
（2）降低△U，最好是消除△U。
四、问题
在解决方案（1）的基础上，不改动△U的条件下，有无别的测试方法可以监控好恒流精度？ |
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