STC内部EEPROM存储问题

发表于 2009-7-21 10:57

正在用STC12C5A32S2做个项目，用内部EEPROM存储数据，我严格按照官方例程编写读，擦除，写程序，开机后读出数为零，关机前的数没有保存，到底错在哪里，请各位帮忙，多谢！急！急！急！

发表于 2009-8-29 20:59

应该没问题的，我正在用这种单片机

发表于 2009-8-30 23:22

它有EEPROM吗？

发表于 2009-8-31 13:22

写一组字串测试一下，先查看有没有正确写入，再断电测试，不让就是换MEGAWIN看看咯

发表于 2009-9-1 12:49

它有EEPROM吗？
yewuyi 发表于 2009-8-30 23:22

呵呵呵，准确的说法是 “内部非易失性存储器”

发表于 2009-11-11 12:13

我们一直在用内部EE
没问题啊！

发表于 2009-12-12 21:33

没有问题的

发表于 2010-1-5 13:01

没问题的，我用个这个片子

发表于 2010-1-14 11:21

我不知道什么情况我用的5a60s2，你们在擦除读写eeprom的时候还用加延时么？关闭继电器后直接读写eeprom会出错。不知道你们遇到没有这种问题。

发表于 2010-1-15 08:57

扫盲啦，EEPROM的概念与flash有本质区别，EEPROM在修改数据的时候不需要擦除操作，直接对字节进行写操作，而flash特点是只能把原来的1编程成0，这样的话如果你修改原来的数据而且你要把原来的数据位从0变成1，那么你就要先进行擦除操作

发表于 2010-1-15 09:01

而且flash擦除操作是一个扇区一个扇区的擦，这就需要你自己保存数据，而EEPROM则没有这种限制，个人觉得姚工这样宣传有点…

发表于 2010-3-21 17:48

STC已经做得很不错了，这是我个人看法，增加个擦除操作又不是叫你自己去做，只是增加个指令而已，总比你外面再接个AT24C02强多了吧！！

发表于 2010-4-10 16:52

外接24C02比用内部的还舒服些，数据多了你就知道了

发表于 2010-4-13 16:04

貌似是先读出，擦除扇区，再写入。修改只能按扇区修改。

发表于 2010-4-13 16:14

EEPROM去要擦除再写吗？EEPROM的数据不是直接覆盖上去的吗？？

发表于 2010-4-14 09:49

注意写操作的延时--演示程序的晶振频率是多少？你的系统是多少？相应调整延时时间。
另外，关机的时间是否足够完成写操作？

发表于 2010-5-7 10:15

我用的没问题.

发表于 2010-5-7 20:37

有eeprom的，是Flash eeprom，呵呵。

发表于 2010-5-8 09:54

扫盲啦，EEPROM的概念与flash有本质区别，EEPROM在修改数据的时候不需要擦除操作，直接对字节进行写操作，而flash特点是只能把原来的1编程成0，这样的话如果你修改原来的数据而且你要把原来的数据位从0变成1，那么你 ...
David_ming 发表于 2010-1-15 08:57

其实有人知道是这个区别，只是人云亦云而已！

登录 · 发表于 2010-5-14 21:51

....这个应该不能随便叫

[国产单片机] STC内部EEPROM存储问题

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