复位和外设

2万 · 2015-6-7 19:54

M16复位期间I/O口是高阻状态，这样I/O口控制的外设就不会动作，可是换成了82G516,复位期间外设就会误动作，有什么办法解决？

2万 · 2015-6-7 19:55

为啥也不用MEGA16了？呵呵

2万 · 2015-6-7 19:55

是啊，82G516的I/O的状态时可以通过程序来设置成推挽，上拉，输入等状态，基本和M16的I/O差不多

1万 · 2015-6-7 19:55

MPC82G516 的I/O口，默认是标准的8051 I/O口模式，工作在准双向，复位后输出为1，弱上拉。

2万 · 2015-6-7 19:55

对，但是复位期间的状态应该是和普通51一样，是弱上拉，也就是高电平。

1万 · 2015-6-7 19:56

改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

2万 · 2015-6-7 19:56

我觉得MPC82G516的P0口设计时有点小问题。

上电复位时，
P0M0 端口P0 模式寄存器0，复位值=0000,0000B
P0M1 端口P0 模式寄存器1，复位值=0000,0000B

2万 · 2015-6-7 19:56

不是很理解

2万 · 2015-6-7 19:56

即上电复位默认P0口为准双向端口，和传统的51单片机P0口上电复位默认P0口为开漏输出，不兼容！

2万 · 2015-6-7 19:56

对，
否则，MPC82G516的P0口可满足你设计的要求。

2万 · 2015-6-7 19:57

复位后的确是上拉~

2万 · 2015-6-7 19:57

这个复位后上拉，是比较烦人，51改了这么久，也不做点改进。

2万 · 2015-6-7 19:57

I/O是用来驱动8个三极管，看来非要加个IC不行了。

1万 · 2015-6-7 19:57

改成低电平驱动可以吗？

2万 · 2015-6-7 19:58

可改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

2万 · 2015-6-7 19:58

这类复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，很常规很通用的，在中国的用量也挺广挺多的，网上去搜一下，就能找到。

2万 · 2015-6-7 19:58

可以用低推的方法来解决这个问题,而且灌电流要比驱动电流要大很多.

2万 · 2015-6-7 19:58

Megawin(笙泉)单片机比其他51单片机最占优势的地方在于仿EEPROM容量可以划分较大，对某些需要较大EEPROM存储数据的应用，可以省去外接EEPROM, 简化结构，降低成本。

2万 · 2015-6-7 19:59

M16复位期间I/O口是高阻状态 : 是否按住复位鍵不放.
否則應該會立即執行主程序的 .

2万 · 2015-6-7 19:59

GPIO型需要加下拉电阻来确保初始化状态。