由于所设计的工程以后会取消外部RAM和NOR FLASH,所有的代码需要全部在内部RAM上跑，所以调试的时候就不好使用ZLG的工程模板，所以将其中一个target修改了一下；自己参照其他三个scf文件写了一个Mem_d.scf如下：
ROM_LOAD 0x40000000
{
ROM_EXEC 0x40000000
{
Startup.o (vectors, +First)
* (+RO)
}
; RW code Offset 32K
IRAM +0
{
;Startup.o (+RW,+ZI)
;os_cpu_a.o (+RW,+ZI)
* (+RW,+ZI)
}
; No ERAM
; HEAP Offset 32K + All RW and ZI area
HEAP +0 UNINIT
{
heap.o (+ZI)
}
; STACKS Offset 32K + All RW and ZI area + Heap area
STACKS +0 UNINIT
{
stack.o (+ZI)
}
}
同时也将MEMMAP设置成为0x02；
程序可以正常的加载，但是不知道跑着跑着就到了PrefetchAbort；
参考网上的资料，说如果碰到这种情况最好使用zlg设置好的PLL设置，由于我的板子上的晶振为24Mhz的，所以与ZLG的设置稍微不同，我是这样设置的：
#define Fosc 24000000 //晶振频率,10MHz~25MHz，应当与实际一至
#define Fcclk (Fosc * 2) //系统频率，必须为Fosc的整数倍(1~32)，且<=60MHZ 4 Fosc
#define Fcco (Fcclk * 4) //CCO频率，必须为Fcclk的2、4、8、16倍，范围为156MHz~320MHz 16 Fosc
#define Fpclk (Fcclk / 4) * 2 //VPB时钟频率，只能为(Fcclk / 4)的1 ~ 4倍1 Foscs
我觉得这样应该没有问题啊？有没有那位大哥大姐有过类似经验？共同探讨一下，（另外我的代码在DebugInExRAM或RelOUTChip下都是可以正常操作的，我想应该不是代码的问题）
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