nmos管导通后栅极和源极电压相等，还会继续导通吗？

发表于 2015-7-1 14:38

nmos管在导通以后，漏极和源极电压相等，如果栅极和漏极电压相等，那么MOS管会不会马上关断？如果会，那应该怎么使它保持导通？如果不会，怎么让它关断？

发表于 2015-7-1 14:45

导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关。
从MOS管输出特性曲线上可以看得很清楚。
现在有很多学生，根本不看曲线，看了也不清楚曲线的意义。这很可能与中学缺乏这方面训练有关。

发表于 2015-7-1 15:26

MOS管基本原理，书中没说这个吗?

发表于 2015-7-2 09:32

或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs大于开启电压时，mos管导通了，导通后电阻很小，可以认为Vd=Vs,此时如果有Vg=Vd，那么就有Vg=Vs，岂不是mos管又要关断了？

发表于 2015-7-2 09:47

wyt15985 发表于 2015-7-2 09:32
或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...

我在2楼已经说过“导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关”。
只要Vgs小于导通电压，无论Vd多少，MOS管都会关断。

发表于 2015-7-2 10:01

wyt15985 发表于 2015-7-2 09:32
或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...

你搞错了电压关系。不知道你说的Vg=Vd怎么来的，是把Vg和Vd连在一起？？那样不是做开关，而是二极管应用

Vd=Vs, Vs的电压由电路通路确定,两个Vs,导通前的和导通后的。

Vg的栅极电压是偏压，一般用个固定值。你需要计算的是导通前的vgs和导通后的Vgs，像maychang说的，保证Vgs大于导通电压。

发表于 2015-7-2 11:12

maychang 发表于 2015-7-2 09:47
我在2楼已经说过“导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关”。
只要Vgs小于导通电压，无 ...

可能楼主是想问“用NMOS管做电源开关”是否可行吧。

发表于 2015-7-2 11:21

不是LZ礼貌不礼貌的问题，是问题太绕了。
干吗说VG=VD呢？直接说VG=0V不就得了。

发表于 2015-7-2 11:38

MOS管的驱动取决于Vgs，Vgs不小于开启电压就导通，否则就关断。

发表于 2015-7-2 12:31

要加自举电路才能维持导通。

发表于 2015-7-2 12:33

maychang 发表于 2015-7-1 14:45
导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关。
从MOS管输出特性曲线上可以看得很清楚。
现在有 ...

有点懂LZ的意思，如BULK同步开关电源，用NMOS管，上管必须要加自举电路。

发表于 2015-7-2 14:47

wyt15985 发表于 2015-7-2 09:32
或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...

你在Vg和 Vs之间加个电阻不就好了。

发表于 2015-7-2 14:47

而且一般如果用作电源开关的话，建议用PMOS。

发表于 2015-7-2 16:40

Maggie94912 发表于 2015-7-1 16:12
我们的MOS管是绝缘的，绝缘MOS是申请的专利产品，目前只有我们能做到，内置绝缘的一般都是220F的封装，我们 ...

NXP和VISHAY都做不到？

发表于 2015-7-3 09:25

Maggie94912 发表于 2015-7-3 08:50
是的！

那你们家真的是太牛X了

发表于 2015-7-3 18:37

做buck电路别用NMOS，如用，要加自举电路，要求Vg要大于VIn（要降压的电源电压），因此比较困难，另一方面，这样做完全没有必要，正确的方式是用Pmos，因Pmos的Vgs 为负曲线，因此输入Vg=0时，VGS就是很小的负数（设Vin=12V，此时VGS=-12），而当输入高时关断。这样就不需要特殊的驱动电路，做BOOST电路时才使用NMOS，原理相同，VGS则为正。请参考，谢谢。

发表于 2015-7-5 10:11

shuiqinghan2012 发表于 2015-7-3 18:37
做buck电路别用NMOS，如用，要加自举电路，要求Vg要大于VIn（要降压的电源电压），因此比较困难，另一方面 ...

要看什么埸合，如用低频开关的，也不想花成本去驱动MOS，PMOS管最合适，如用在高频边沿比较陡的，NMOS管比较合适，在当今，NMOS管用的远大于PMOS管，因此在制造工艺上也最完备，性能上更优秀，如当年的NPN，PNP工艺一样。在早期PNP制作工艺有问题，高频的管子很难制作出来，因此，后级都用NPN，电路上修改。现在不存在这个问题，一般都PP输出，配对使用。

发表于 2015-7-5 11:30

对比NMOS和PMOS，还是NMOS的性能好些，据内行人说，PMOS的难做高指标，尤其高压。
BUCK电路如果采用共阳电路，用NMOS也很方便呀。

发表于 2015-7-11 13:47

栅极和源极电压相等当然不导通了，所以才不能用Nmos，如果要用Nmos要求栅极电压高于源极Vth，故栅极电压会很高。

发表于 2015-7-11 14:17

NMOSE的导通，要求VGS要大于开启电压，一般不用考虑VD的。当然前提是VD>VS，否则内部寄生二极管会导通。

nmos管导通后栅极和源极电压相等，还会继续导通吗？

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