razavi 的模拟CMOS 集成电路设计第43页关于跨导的解释很不理解

只看该作者 · 2008-9-22 09:42

遇到个问题

在饱和区，gm=。。。。。。跨导开始增加。

在线性区，gm=。。。。。。gm开始下降。

应该是

在饱和区，gm=。。。。。。跨导开始下降。

在线性区，gm=。。。。。。gm开始增加。

只看该作者 · 2008-9-22 12:15

在任意的CMOS集成电路中，当Vin=VTH时，会出现集成块内部击穿；当Vin＜VTH时，会出现集成块反方向工作，或不工作；当Vin＞VTH时，就是**中说的一样了

只看该作者 · 2008-9-22 18:36

Vin 是Vgs，栅源级电压

Vin>Vth时，Id/Vin曲线就如上图a所示，我的意思是

Vth～Vin1的区域应该是线性区

Vin1～Vin的区域应该是饱和区

是这样的吗？

只看该作者 · 2008-9-22 22:23

楼主饱和区和线性区反了。

Vin---->Vgs;
饱和区：VTH<Vgs<Vin1
线性区：Vgs>Vin1

只看该作者 · 2008-9-23 16:57

Vin---->Vgs;
饱和区：VTH<Vgs<Vin1
线性区：Vgs>Vin1

那 MOSFET 在线性区,Vin 的增加必然导致Id电流的提高啊

gm作为一个衡量电流受压控制的量，为什么会下降呢

只看该作者 · 2008-9-24 21:17

MOSFET 在线性区,Vin 的增加必然导致Id电流的提高啊

gm作为一个衡量电流受压控制的量，为什么会下降呢

有人知道吗？

只看该作者 · 2008-9-29 11:32

只看该作者 · 2008-11-22 21:01

   个人觉得，gm表征是MOS器件把电压变化转变成相应的电流变化的能力，在饱和区，漏极电流Id近似只与栅源电压VGS有关，如公式（2.13），故跨导gm=μnCox(W/L)(Vin-Vth)；而在线性区，电流Id与栅源电压VGS和漏源电压都有关，根据公式（2.8）可得，gm=μnCox(W/L)VDS,如公式（2.21）所示，也就是说在线性区，跨导只与漏源电压VDS有关，而与栅源电压VGS无关。在上述的例子中，栅源电压增大，使漏电流增大，漏源电压却减小了，所以跨导是减小的。列子2.2 正说明了这一点。
   不知道我这样说合适不合适，LZ是怎么理解的？
   我觉得LZ的误区是：认为栅源电压增大了，漏电流增大，那么理所当然，跨导也应该是增大了！
   应该注意到跨导是漏电流对栅源电压的导函数，说白了gm=△Id/△VGS
可以看一下图3.4（a),（如果你认为该曲线是正确的的话）图中曲线的斜率就是gm，我们可以近似得到gm的变化趋势

razavi 的模拟CMOS 集成电路设计第43页关于跨导的解释很不理解

相关帖子

我不是很清楚

一起讨论下

。。

你说的是对的

。。。。

自己顶下

LZ最近也在看毕查德的模拟CMOS设计么？可以交流一下

技术新星奖章