lpc2200开发板 bank2 设定使用问题。

发表于 2008-1-15 11:48

我想用bank2来访问外部I/O，我直接在开发板的工程模板里修改了 LDR     R0, =BCFG2 LDR     R1, =0x0000fbef STR     R1, [R0] PINSEL2的设定不需要修改。     LDR     R0, =PINSEL2     IF :DEF: EN_CRP         LDR     R1, =0x0f814910     ELSE         LDR     R1, =0x0f814914     ENDIF 设定位8位的外部存储器访问。 程序里这样写的。 volatile uint8 *ip; __asm{nop;}//1 ip=(volatile uint8 *)(0x82000fff);//2 ip[0]=0x08;//3 但是在仿真的时候发现跳过了第二句话。外部led也没有变化。 请问我这样的设定有什么问题吗？

发表于 2008-1-15 16:42

我刚学ARM7不久。用的是smartARM2200的板子。好处是有完整的工程模板，需要修改的很少。如果自己写start.s，那很累，也不好搞。 上周刚把书上的例子都运行，看了看。 这周开始做点自己的东西。 先是用p1.16~p1.20做GPIO，做了一些串行的东西来显示数码管，控制一些器件。 接着打算用bank2来访问一下外部I/O。由于原来都是用51，做的都是8位的，所以设定为8bit的。设BCFG2的值为0x0000ffef，即RBLE设为0。但是发现可以读，不能写。用示波器查看发现没有写信号，但是有CS2的信号（写的时候）。后来将RBLE设为1。就可以读写了。 回头看看书，觉得有些困惑。书上讲8bit时RBLE为0；16/32bit时RBLE为1。 这是为什么呢？

发表于 2008-1-15 16:44

设BCFG2的值为0x0000fbef，即RBLE设为0。

发表于 2008-1-15 17:06

wohuazhen，您好！     在LPC2200系列ARM中，为了适应外部存储器组的宽度和类型，EMC提供了一组字节选择信号，要实现这些功能，需要对相应存储器配置寄存器中的RBLE位进行设定。     对外部存储器组进行写访问时，RBLE位决定WE信号是否有效；     对外部存储器组进行读访问时，RBLE位决定BLSn信号是否有效。                                                        By zlgarm_wzj

发表于 2008-1-16 09:01

如果开发板存储器是16位宽度的，那么必须将RBLE设置为1，才能进行正常读写。 smartARM2200上bank0和bank1是16位的，但bank2虽是16位的接口，可是我把它连接到我的cpld上，仅连接了D0~D7，A12~A15，nWE，nOE，CS2，GND，3.3V，然后对8位的74377进行操作，可是发现写不了。我把RBLE设为1，就可以了。但是这个时候我设的MW仍是00啊。 您指的是只要外部bank0指定了16位宽，那么bank2的RBLE就要设为1吗？没道理啊。

发表于 2008-1-17 09:07

wohuazhen 您好！    1、如果您把LPC2200系列ARM的BLS0与cpld的WE信号连接就要把RBLE设置为0    2、如果您把LPC2200系列ARM的WE与cpld的WE信号连接就要把RBLE设置为1    总结：对外部存储器组进行写访问时，RBLE决定WE信号是否有效（低电平有效）          对外部存储器组进行读访问时，RBLE决定BLSn信号是否有效（低电平有效）                                                         By zlgarm_wzj

[ZLG-ARM] lpc2200开发板 bank2 设定使用问题。

相关帖子

smartARM2200中RBLE的问题

设BCFG2的值为0x0000fbef，即RBLE设为0。

回复如下：

不理解

回复如下：

浏览过的版块