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MOSFET不均压

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沙发
123654789| | 2015-7-4 11:21 | 只看该作者
惟有就是每个MOSFET都并联电阻

并联电容都不可以

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板凳
Hoganliao|  楼主 | 2015-7-4 11:31 | 只看该作者
大神,请问会是什么原因导致的呢,另外一个桥臂没有这个现象。还有并联电阻会对逆变桥造成什么影响呢,求教了,谢谢

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地板
戈卫东| | 2015-7-4 11:59 | 只看该作者
MOSFET串联,是怎么个连法?贴个图看看?

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5
Hoganliao|  楼主 | 2015-7-4 14:46 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2015-7-4 11:59
MOSFET串联,是怎么个连法?贴个图看看?

单相全桥逆变,如下图所示



无标题.png (14.58 KB )

测量的是图中B2和D2的MOSFET电压波形

测量的是图中B2和D2的MOSFET电压波形

无标题1.png (186.13 KB )

B2和D2上的电压波形

B2和D2上的电压波形

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6
戈卫东| | 2015-7-4 16:32 | 只看该作者
截止时不均压没有影响的吧
它们的输出是低阻抗的 泄漏电流的影响可以忽略

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7
beebeecici| | 2015-7-4 22:09 | 只看该作者
管子都截止,测试两个管子上的电压?

什么意思?

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lvyunhua| | 2015-7-4 22:39 | 只看该作者
不均压是什么意思呢?

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9
李冬发| | 2015-7-5 11:08 | 只看该作者
不用理会这个“不均压”

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10
Hoganliao|  楼主 | 2015-7-7 20:16 | 只看该作者
lvyunhua 发表于 2015-7-4 22:39
不均压是什么意思呢?

两个管子截止时,两个管子的Vds应该均分母线电压,而且应该为一个较为稳定的量,而现在测试,它是一个变化的值

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11
Hoganliao|  楼主 | 2015-7-7 20:17 | 只看该作者
李冬发 发表于 2015-7-5 11:08
不用理会这个“不均压”

为什么呢,不会有不良影响吗

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Siderlee| | 2015-7-8 13:32 | 只看该作者
这个应该是由于MOS  Idds, 就是零门极电压时漏极的电流不均衡造成的

这种情况一般在设计之初就要考虑均压电路

不明白你测试时一直在变化,可能跟你的测试方法有关

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st.you| | 2015-7-8 13:44 | 只看该作者
截止时候是高阻抗的东西,没办法均压的吧,除非你分别并个电阻上去。只是,有意义吗?

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Hoganliao|  楼主 | 2015-7-12 20:04 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2015-7-8 13:32
这个应该是由于MOS  Idds, 就是零门极电压时漏极的电流不均衡造成的

这种情况一般在设计之初就要考虑均压 ...

用的差分探头测试的

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123654789| | 2015-7-13 11:06 | 只看该作者
真的奇怪

一个全桥 ,中间使用几乎0欧姆的铜线连接在一起

一个桥臂均压,另外一个桥臂不均压

肯定是楼主的测量有问题

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