关于非总线复用的问题

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 楼主| songbangyan 发表于 2010-4-19 17:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
在STM32的FSMC相关技术资料文档中,都提及到了非总线复用的问题,The IS61WV51216BLL memory is a nonmultiplexed, asynchronous, 16-bit memory.我现在选用的IS61WV20488BLL的SRAM,按照技术文档应该设置为非总线复用,但是设置为非总线复用会不会影响我在这上面挂靠的NAND FLASH芯片的读写呢?
其实我最想知道的是什么叫做非总线复用(nonmultiplexed)。
香水城 发表于 2010-4-19 17:46 | 显示全部楼层
设置为非总线复用不会影响我在这上面挂靠的NAND FLASH芯片的读写。

非总线复用(nonmultiplexed)模式是相对于总线复用模式,而总线复用模式表示数据与地址共用信号线,非总线复用模式则是数据与地址分别使用独立的信号线。

详细内容请参考微机接口原理的相关资料。
 楼主| songbangyan 发表于 2010-4-19 17:49 | 显示全部楼层
刚刚查看技术资料看明白了,都怪之前没好好看技术资料!又或许是最近忙晕了,谢谢香版主了。
yybj 发表于 2010-4-19 18:41 | 显示全部楼层
所谓非总线复用就是数据线和地址线分开传输
txcy 发表于 2010-4-19 21:51 | 显示全部楼层
字面意思已经很明确了
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