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[测量] 有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统

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楼主| szzhongtu5 发表于 2022-4-20 17:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统，可以对Wafer的关键尺寸进行测量，对套刻偏移量的测量，以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量，包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台，可支持12寸Wafer的自动测量。配置扫描枪等，可满足产线的全自动化生产需求。

系统的布局结构
1.上/下料区：Robot自动抓取Wafer至寻边器平台；
2.定位区：寻边器对Wafer自动轮廓识别，旋转校正到设定姿态；
3.测量区：自动测量平台，包含2D和3D量测模组，内部有温湿度监控及除静电装置；

一、上/下料区：Robot自动上下料区

图1. Robot自动上下料区

二、定位区：寻边器自动识别出wafer轮廓，旋转校正到设定姿态。

图2. Robot将Wafer放在寻边器上

图3. 自动识别出wafer轮廓

三、测量区：自动测量平台

图4. 自动测量平台

四、应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量

图5. Wafer关键尺寸测量

图6. 套刻偏移量测量

2.镭射切割槽测量

图7. Wafer镭射槽

图8. 镭射槽3D图像