21ic电子技术开发论坛 MOSFET 相关帖子
MOSFET 标签:

MOSFET

最新发表 / 热门讨论

版块 作者 回复/查看 最后发表
碳化硅 (SiC) MOSFET 双脉冲实验 (DPT) 数据处理与开关损耗精准提取 21大家谈 yangqiansic 2026-4-2 0 0 yangqiansic 2026-4-2 15:53
麦米电气采用英飞凌CoolMOS™ 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器 英飞凌MCU论坛 IFX新闻官 2026-3-31 4 9 cr315 2026-4-8 18:24
为什么SiC/GaN时代,硅基MOSFET仍不可替代?
GaNMOSFET技术sic硅基lm
英飞凌MCU论坛 星辰大海不退缩 2026-3-30 59 181 jdqdan 2026-5-22 11:47
英飞凌MOSFET新方案 英飞凌MCU论坛 OKAKAKO 2026-3-27 0 0 OKAKAKO 2026-3-26 20:47
碳化硅 (SiC) MOSFET 双脉冲测试(DPT):探头干扰排除与真实波形获取技术研究 21大家谈 yangqiansic 2026-3-21 0 0 yangqiansic 2026-3-21 19:47
SiC碳化硅MOSFET规格书参数解析与系统级应用指南 21大家谈 yangqiansic 2026-3-1 0 0 yangqiansic 2026-3-1 16:41
混合逆变器逆变部分全碳化硅(SiC)MOSFET 的三电平设计方案 21大家谈 yangqiansic 2026-2-28 0 0 yangqiansic 2026-2-28 10:51
基于1700V碳化硅MOSFET的反激辅助电源设计 21大家谈 yangqiansic 2026-2-26 0 101 yangqiansic 2026-2-26 08:45
SL3161A 内置100V高压MOSFETE 输出电流2A降压DCDC电源芯片 attach_img 二手交易 13760325070 2026-2-25 0 101 13760325070 2026-2-25 15:35
SiC碳化硅MOSFET隔离驱动电源系统中负压生成的物理机制与工程实现研究报告 21大家谈 yangqiansic 2026-2-18 0 101 yangqiansic 2026-2-18 20:04
碳化硅 (SiC) MOSFET dv/dt 极限物理本质深度研究报告 21大家谈 yangqiansic 2026-2-15 0 101 yangqiansic 2026-2-15 14:44
两级关断(2LTO)技术成为碳化硅(SiC)MOSFET国产隔离驱动IC核心进化路径 21大家谈 yangqiansic 2026-2-16 0 101 yangqiansic 2026-2-16 11:52
丙午烈马与SiC碳化硅革命:2026年高频电源产业技术蓝皮书 21大家谈 yangqiansic 2026-2-17 0 101 yangqiansic 2026-2-17 08:25
顶部散热碳化硅 MOSFET 在重载人形机器人关节驱动中的技术与商业价值 21大家谈 yangqiansic 2026-2-17 0 101 yangqiansic 2026-2-17 10:41
新洁能发布涨价函,上调10%起
FETMOSMOSFETos成本产品
21大家谈 cooldog123pp 2026-2-26 0 101 cooldog123pp 2026-2-26 17:00
芯源功率器件SJ-MOSFET技术特点 芯源CW32 MCU 又见江南雨 2026-3-13 0 0 又见江南雨 2026-3-13 20:27
功率器件SJ-MOSFET产品型号与参数 芯源CW32 MCU 又见江南雨 2026-3-17 1 6 别乱了阵脚 2026-6-3 16:56
WD5208S 非隔离ACDC降压功率开关:集成650V MOSFET,多模式控制,待机功耗<50mW attach_img
MOSFET多模
电源技术 微电半导体 2026-3-24 0 0 微电半导体 2026-3-24 14:48
英飞凌拓展CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列,提供超低导通电阻和新型封装 英飞凌MCU论坛 小小蚂蚁举千斤 2026-3-29 8 20 yellow555 2026-6-11 16:45
正电源端N-ch MOSFET驱动 attach_img 凌鸥LKS MCU szt1993 2026-3-31 0 0 szt1993 2026-3-31 12:54
在线客服