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zjwumei

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新手儿 求高手指点
2013-6-11 11:06
  • EDA 技术
  • 6
  • 1989
  电路设计原理方面的就看电路设计的书就足够了,找《电子学 第二版》学最基础的内容; 制版,看画pcb的软件 ...  
这个板块是IC设计吗?
2013-5-30 16:38
  • EDA 技术
  • 2
  • 1392
  有同感,现在是什么节奏:o  
微电子该怎么学
2013-9-29 16:10
  • EDA 技术
  • 11
  • 2109
  你往电路设计方向搞就行了,微电子不要再想了。  
mos管使用的问题,请高手指点
2010-1-30 14:36
  • 电源技术
  • 78
  • 10692
  你的两个mos应该直通了 MOS上的负载是电感,如果频率太低的话,电感等效的电阻就太小了,可能会相当于导线 ...  
专家分大放送:活跃本版--- 月底结贴 都可能有机会
2010-2-21 13:47
  • EDA 技术
  • 22
  • 3586
  声源amtek  
  ic设计涵盖的内容太丰富了  
  我声援你,我知道一点儿 专家,在自己的领域识专家,去其它的领域就不是了么:lol ...  
MOSFET 的极限功率(新观点)-欢迎半导体专家进入拍砖
2010-2-5 09:41
  • 电源技术
  • 74
  • 8173
  你贴的图发生不稳定是布线层的问题 我说的是在布线层可靠的情况下,器件层发生的问题。 ...  
  A: MOSFET在从截止到完全导通过程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas. 注A:时间在较短时间内(MOSFET内 ...  
  如果和你说的相对应的 晶格解体与单次能量释放有关,这一次性的过程,时间较短 杂质再分布与多次小能量释放 ...  
  晶格解体,我们测试的时候经常看到,就是器件爆炸了 杂质再分布不太好解释,半导体器件使用的时候选择性掺 ...  
  都是热的问题 但是最终的结果不是热 由于热的原因,导致硅晶格解体或者杂质再分布,这才是主要原因 ...  
  我们用器件总出问题,关键的原因还是对器件的核心技术不掌握 就好像在win平台下编程序一样,总是不顺畅 掌 ...  
  tangyunxiong同学 mosfet,分立器件和集成器件这两大类中有无穷多的分类 实际使用环境还会进一步影响它 要 ...  
  MOS在被击穿时,内部的破坏不见得是“排山倒海”的 很多时候,可以用“千里长堤溃于蚁穴”来形容 对于应用 ...  
  电压和电流才是可测试的物理量 对于功率MOS来讲,如果要破坏它 电压就是扳机,但是同时它也是火* 电流就是 ...  
  能量的释放时间非常的重要,这个东西往往又和你的外电路设计关系密切。 我认为不能简单考虑能量的大小, ...  
  MOS控制的功率和MOS本身损耗的功率不是一回事。 首先器件正常工作的时候,本身的压降不能很大,大了就会影 ...  
  这里面有较为混淆的概念,与你讨论一下,呵呵 功率与功耗 功率p=u×i;这个是计算功率最简单的公式 实际上 ...  
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2015-6-1 17:28
  • EDA 技术
  • 0
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  http://xt.xidian.edu.cn/G2S/Template/View.aspx?action=view&courseType=0&courseId=49 欢迎大家来看看 ...  
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