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但是，在对上面的驱动板进行实际测试时会发现，不需要令其上下桥臂MOS轮流导通也可以正常工作，这是因为即 ...

补充总结： ★ 因此想要使高端MOS连续导通，必须令自举电容不断充放电，即循环工作在上述的三个阶段（上下 ...

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注意：因为此时电容在持续放电，压差会逐渐减小。最后，电容正极对地电压(即上桥臂MOS栅极对地电压)会降到V ...

(3)第三阶段：通过IN引脚输出PWM使左侧的内部MOS管如图所示导通。由于电容上的电压不能突变，此时自举电容 ...

(2)第二阶段：此阶段由芯片内部自动产生，即死区控制阶段（在H桥中介绍过，不能使上下两个MOS同时导通，否 ...

(1)第一阶段：首先给IN输入PWM信号，使HO和LO通过左侧的内部控制电路(使上下两对互补的PMOS和NMOS对应导通) ...

自举电路工作流程：以下电路图均只画出半桥，另外一半工作原理相同因此省略。假定Vcc=12V，VM=7.4V，MOS ...

自举电路此部分是理解该芯片的难点，需要进行重点讲解。从上面的典型电路图和最初的设计原理图中均可发现 ...

VCC为芯片的电源输入，手册中给出的工作电压为10~20V。(这便是需要boost升压到12V的原因) IN和SD作为输入控 ...

2.引脚功能(来源于数据手册)

1.典型电路设计(来源于数据手册)

5.半桥驱动芯片IR2104S 所谓半桥驱动芯片，便是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管。因此采用 ...

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上桥臂驱动：自举电路下桥臂驱动：电平控制实际电路设计中，一般把Ves设置为10~20V，因为这样保 ...

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假设，图中N-MOS管的Vgs阈值为3V，VCC=24V。对于，下桥臂Q2MOS管可以使用STM32芯片引脚直接控制，因为 ...

简单认为，就是一个由栅极G电压控制的一个开关。

4.H桥硬件电路设计 H桥中，一般使用4个N型MOS管来搭建。不用2个N型MOS管+2个P型MOS管的原因是：P型MOS ...

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