CAN总线终端电阻的作用？为什么是120Ω？为什么是0.25W？
2022-4-28 14:53
- ST MCU
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为什么功率还要选0.25W？这个就要结合一些故障状态也计算，汽车ECU的所有接口都需要考虑短路到电源和短路到 ...
为什么选120Ω？什么是阻抗？在电学中，常把对电路中电流所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗单位为欧姆，常用Z表 ...
三、提高信号质量信号在较高的转换速率情况下，信号边沿能量遇到阻抗不匹配时，会产生信号反射；传输线缆横 ...
二、确保快速进入隐性状态在显性状态期间，总线的寄生电容会被充电，而在恢复到隐性状态时，这些电容需要放 ...
一、提高抗干扰能力CAN总线有“显性”和“隐性”两种状态，“显性”代表“0”，“隐性”代表“1”，由CAN收 ...
什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
2022-4-21 15:55
- GigaDevice GD32 MCU
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基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样 ...
PSRAM，假静态随机存储器。背景：PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或 ...
6、软件支持:当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软 ...
5、易于使用:可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由 ...
4、可靠性和耐用性:采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是 ...
3、容量和成本:NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模 ...
2、接口差别:NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND ...
1、性能比较:flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入 ...
NAND Flash和NOR Flash的比较NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR ...
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失 ...
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是 ...
【转】mbedtls 基础及其应用
2023-1-22 16:49
- ST MCU
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2.3 非对称加密时代既然进行秘钥交换存在风险，小帅和小美采用非对称加密算法。双方各自保存私钥、公钥，两 ...
2.2 对称加密时代小帅和小美保存一份相同的秘钥，小帅发出的信息先经过加密，小美收到后使用同样的密码进行 ...
2、SSL/TLS演化熟悉一套技术的演进步骤，比直接看最新版本，更容量理解。2.1 明文时代小帅向小美发送信息， ...
1.2 SSL/TLS协议的历史1996年，在前面的基础上，SSL 3.0版问世并得到大规模应用；1999年，互联网标准化组织 ...
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