问答

[img]https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/24/pastedimage1716096450462v1.png[/img] [align=left][color=rgb(17, 23, 26)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=custom]如上图：我目前设计了一款17.5~29.4V输入，36V10A输出的升压模块的原理图；现在板子遇到以下问题：[/font][/backcolor][/color][/align][align=left][color=rgb(17, 23, 26)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=custom]1、当24V输入时，输出电压是36.2V,负载仪从1A开始拉电流，最大输出电流只能达到4.2A。[/font][/backcolor][/color][/align][align=left][color=rgb(17, 23, 26)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=custom]2、当电流从1A到4.2A过程中，电压从36.2V慢慢降到24V左右（也就是输入电压值）。[/font][/backcolor][/color][/align][align=left][color=rgb(17, 23, 26)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=custom]3、当电流超过4.2A时，提供24V的稳压电源就开始出现类似于短路保护的状态；升压模块电感伴随着尖锐的呼啸声，同时能听到电感有咔哒咔哒声。[/font][/backcolor][/color][/align][align=left][color=rgb(17, 23, 26)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=custom]请帮忙分析下原因，这个电路原理图是在TI官网上仿真的结果，目前我这边没有解决问题的头绪，万分感谢！Ti论坛上也提问了，11天了Ti没人回答！[/font][/backcolor][/color][/align]

我想问下 为什么很多芯片的规格书电流的参数都是用电压值表示？都没有一个具体的电流值。

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。 MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 （6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 其他比较： 1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。 场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子 2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。 3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大。 4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。 5、场效应管的频率特性不如三极管。 6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。 7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

[color=#333333][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]请教各位坛友 有关D类[/size][/font][/backcolor][/color][color=rgb(65, 131, 196)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]功放[/size][/font][/backcolor][/color][color=#333333][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]的功耗如何估算事宜 比如TPA3255，48V供电，PBTL时，带负载2ohm。此时48V需要供电多少电流，TPA3255本身的功耗大概是多少？[/size][/font][/backcolor][/color]

我需要的降压式DC/DC方案，输入是30-100V，输出是5-15V，电流约2A，有合适的方案请推荐一下。谢谢！

项目需要100MHz调制激光二极管，但市面上的芯片普遍都达不到这么高的频率，请问可以实现输出电流大概10mA左右，频率100Mhz正弦波的高频恒流源吗？找到的恒流源电路在频率达到几十兆赫兹就实现不了恒流，各位大佬能指点一下吗？[em:30:]

自激式开关电源，MOS管驱动电平正常的时候是100k左右，但是会跳变到28k，不知道什么原因？ 负载不变，电流保护没起作用，输出会有变化。

有大家用过这款芯片没，我一直没的看明白，这个电流到底应该怎么计算，也就是文档里所说的M值；先说我了解的吧，校准值我怎么怎么计算，虽然我不清楚[color=#231f20][font=Helvetica][size=13.3328px]0.00512到底干什么用的，其次电压也是没有问题的，文档有说最小LBS值[/size][/font][/color] [color=#231f20][font=Helvetica][size=13.3328px]我理解的电流系数是 [/size][/font][/color][font=Helvetica][color=#231f20][size=13.3328px]说明R=2mR [/size][/color][/font][color=#4d4d4d][font="][size=18px]Power_LSB = 25 * Current_LSB[/size][/font][/color] [color=#4d4d4d][font="][size=18px]BusVoltage_LSB = 1.25 mv/bit 固定值[/size][/font][/color] [color=#4d4d4d][font="][size=18px]ShuntVoltage_LSB = 2.5uv/bit 固定值[/size][/font][/color] [font=Microsoft YaHei, SF Pro Display, Roboto, Noto, Arial, PingFang SC, sans-serif][color=#4d4d4d][size=18px]这个m到底要怎么计算？ [/size][/color][/font]

[i=s] 本帖最后由 Alandalin 于 2020-9-7 14:01 编辑 [/i] 请教各位，有没有通过并联方式（如3个30A的MOSFET并联来实现90A的目标）来扩大功率MOSFET的工作电流的经验？这种方式是否可行？在实际使用上需要注意些什么？这样做有经济性吗？感谢！

用ADA4530做TIA电路，进行微弱电流探测，±8V供电正常，但无论给多大电流，芯片输出脚电压都为2.4V，求解，是芯片已经损坏吗

各位老师， 应用中18650电池需要输出10A左右的瞬态大电流，如果有锂电保护，则电流限制住了，达不到效果，是否可以去掉呢？ 要是去掉了不知用什么充当保护电路？ 比较纠结的问题。

本人才接触电机控制不到一星期，刚接手公司的一个电机项目。我的程序是单独给q轴电流，将电机先拖到零位，再加速启动。现在遇到的问题是上电后电机不转动，调整了启动电流也不行，想请教一下一些可能的原因？

超声雾化片1.7MHZ\2.4MHZ(不是微孔雾化片)在干烧时电流是增大的,还是减小.

[attach]1520436[/attach] [attach]1520438[/attach] [color=#333333][font=Arial]图1是我改前的[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电路[/font][/color][color=#333333][font=Arial]，作用是用5V[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电源[/font][/color][color=#333333][font=Arial]给板上一个法拉电容充电，VCLK是给[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]时钟[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]芯片[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的供电，当板断电时，此法拉电容将会维持对VCLK的供电，实际使用中发现，断电后两个PNP[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]三极管[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的漏电流都很大，我将法拉电容充电至4.7V后，断电去掉时钟芯片后[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]测量[/font][/color][color=#333333][font=Arial]R6与R7的压降，R6有150mV，R7有20mV左右，即这两个管子都有150uA左右的漏电流，但规格书上Icbo都只有100nA明显不符。[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]我按图2的电路更改，其他部分都没动，将R5由射极移到集电极，结果就没有漏电流了，上电的时候也能正常工作，请问各位大神这是什么原理？为什么移动下R5的位置就没有漏电流了？另外我发现漏电流大小与法拉电容电压成正比，请问这又是什么原因？[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]替一位同行代问[/font][/color]

电瓶车的空开，还能自由扳动。可能是大电流时被电线、雨衣压住了。 [attach]1519040[/attach] [attach]1519042[/attach] [attach]1519044[/attach]