日志
瞬态抑制二极管ESD03V32D-LC在射频口防护方案中的应用
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一、应用背景
1．全球气候变暖，雷雨天气增多
2．射频很多置在室外，易受雷击
3．传输速率高达1Gbps，结电容要求高
4．高浪涌防护的安防设备成为趋势
二、防护方案与硕凯器件
射频口防护方案电路图详见硕凯电子官网
陶瓷气体放电管（GDT）
GDT【UN3E5-90LM】直流标称电压：90±20%V，冲击电流（8/20μS）：5kA，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ；
GDT【UN3E6-90MM】直流标称电压：90±20%V，冲击电流（8/20μS）：10kA，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ；
瞬态抑制二极管（TVS）
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V；Vb：4.0V；防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV；结电容（f=1MHz）：1.2pF；封装为SOT-323
三、方案应用
1．医疗器械
2．视频监控
3．光发射机
4．其他射频设备
四、方案说明与注意事项
1．本方案前端采用一颗GDT，并联与信号线与地线之间，泄放大电流
2．后端的TVS结电容为1. 2pF，不影响数据传输；
3．封装为SOD- 323，体积小，节约成本；残压低，有效保护射频芯片
4．本方案满足I EC61000- 4- 5、GBT17626. 5等浪涌标准
